38.18 - ÀüÀÚ°ø¾÷¿¡ »ç¿ëÇϱâ À§ÇÏ¿© µµÇÁ󸮵È(doped) ÈÇпø¼Ò(µð½ºÅ©¡¤¿þÀÌÆÛ ¸ð¾çÀ̳ª ÀÌ¿Í À¯»çÇÑ ¸ð¾çÀ¸·Î ÇÑÁ¤ÇÑ´Ù), ÀüÀÚ°ø¾÷¿¡ »ç¿ëÇϱâ À§ÇÏ¿© µµÇÁ󸮵È(doped) ÈÇÐÈÇÕ¹°
ÀÌ È£¿¡´Â ´ÙÀ½ÀÇ °ÍÀÌ ºÐ·ù µÈ´Ù(1) º¸Åë 100¸¸ºÐÀÇ 1ÀÇ ºñÀ²·Î, ºØ¼Ò³ª ÀÎÀ¸·Î Á¦28·ùÀÇ ÈÇпø¼Ò[¿¹: ½Ç¸®ÄÜ°ú ¼¿·»(selenium)]À» µµÇÁ󸮵È(doped) °Í(À̵éÀº µð½ºÅ© ¸ð¾ç¡¤¿þÀÌÆÛ(wafer) ¸ð¾çÀ̳ª ÀÌ¿Í À¯»çÇÑ ¸ð¾çÀ¸·Î ÇÑÁ¤ÇÑ´Ù). Àλ󰡰øÇÏÁö ¾ÊÀº ¸ð¾çÀ̳ª ½Ç¸°´õ ¸ð¾ç¡¤¸·´ë ¸ð¾çÀÇ °ÍÀº Á¦28·ù¿¡ ºÐ·ùÇÑ´Ù. (2) ÀüÀÚ°ø¾÷¿¡ »ç¿ëÇϱâ À§ÇÏ¿©, º¸Åë ³·Àº ºñÀ²·Î ƯÁ¤ ÷°¡Á¦(¿¹: °Ô¸£¸¶´½¡¤¿äµå)¸¦ ÇÔÀ¯ÇÏ°í ÀÖ´Â, ¼¿·»ÈÄ«µå¹Å°ú ¾ÆȲ»êÄ«µå¹Å¡¤ºñ»êÀε㠵î°ú °°Àº ÈÇÐÈÇÕ¹°[½Ç¸°´õ¡¤·Îµå(rod) µîÀÇ ¸ð¾çÀÎÁö ¿©ºÎ³ª, µð½ºÅ© ¸ð¾ç¡¤¿þÀÌÆÛ(wafer) ¸ð¾çÀ̳ª ÀÌ¿Í À¯»çÇÑ ¸ð¾çÀ¸·Î Àü´ÞµÈ °ÍÀÎÁö¿¡ »ó°ü¾ø´Ù] ÀÌ È£¿¡´Â ±×·¯ÇÑ °áÁ¤¹°À» ºÐ·ùÇϴµ¥, ÀÌ°ÍÀº ±¤Åó½ °ÍÀÎÁö¿Í ±ÕÀÏÇÑ ¿¡ÇÇÅؼÈÃþ(uniform epitaxial layer)À¸·Î µµÆ÷ÇÑ °ÍÀÎÁö¿¡ »ó°ü¾ø´Ù. À̵éÀ» º¸´Ù ´õ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô °¡°øÇÑ °Í(¿¹: ¼±ÅÃÈ®»ê¿¡ ÀÇÇÑ °Í)Àº ¹ÝµµÃ¼ µð¹ÙÀ̽º·Î¼ Á¦8541È£¿¡ ÇØ´çÇÑ´Ù.
|