85.41 - 반도체 디바이스(예: 다이오드·트랜지스터·반도체 기반 트랜스듀서), 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈에 조립되었거나 패널로 구성되었는지 여부와 관계없이 포함한다), 발광다이오드[(엘이디), 다른 발광다이오드와 결합되었는지 여부과 관계없이 포함한다], 장착된 압전기 결정소자

(A) 반도체 디바이스
(예: 다이오드, 트랜지스터, 반도체 기반의 트랜스듀서)
이들은 이 류의 주 제12호가목 1)에 정의되어 있다.
이 그룹의 소자의 작용은 특정 "반도체(semiconductor)" 재료의 전자적 특성에 기초를 두고 있으며, 반도체 기반의 트랜스듀서(semiconductor-based transducer)의 경우에는 물리적[예: 기계적·열(熱)적]·전기적·광학적·화학적 특성을 포함하는 반도체 속성에 기초를 두고 있다.
이러한 재료의 주된 특징은 실온(室溫)에서의 그 저항률이 금속도체의 저항률과 절연체 저항률 간의 범위 내에 있다는 점이다. 이러한 재료는 예를 들면, 어떤 종류의 광석[예: 결정방연광(結晶方鉛鑛 : crystal galena)] 4가의 원소(게르마늄·실리콘 등)나 원소의 화합물(예: 비화갈륨·안티몬화 인듐 등의 3가원소와 5가원소의 화합물)로 되어 있다.
4가원소로 구성되는 반도체 재료는 일반적으로 단결정체이며, 이러한 것은 순수한 상태로 사용하지 않고 특정의 "불순물(impurity)"(dopant)로 매우 연한 도프 처리(함유량은 100만분의 얼마 정도의 비율)를 한 후에 사용한다.
4가원소에 대하여 가해지는 "불순물"은 5가원소(인·비소·안티몬 등)이나 3가원소(붕소·알루미늄·갈륨·인듐 등)일 수도 있다. 전자는 과잉전자[부(負)의 전하]를 가진 n형 반도체를 형성하고; 후자는 전자(electron)가 부족한 상태[정(正)의 전하를 갖는 정공(正孔)]에 있는 p형 반도체를 형성한다.
3가원소와 5가의 원소가 결합되어 있는 반도체 재료도 도우프 처리가 행해진다.
광석으로 구성되는 반도체 재료에 있어서는 그 광석 중에 자연적으로 함유되어 있는 불순물이 도펀트(dopant)로 작용한다.
이 그룹에 해당되는 반도체 디바이스는 일반적으로 p형과 n형의 반도체 재료의 한 개 이상의 "접합(junction)"으로 구성되어 있다.
여기에는 다음의 것을 포함한다.

(Ⅰ) 다이오드(diode) : 이것은 단일의 p·n접합을 가진 것으로 두 개의 터미널을 가진 터미널디바이스(terminal device)이다. 이들은 한쪽 방향(전진방향)으로 전류를 보내나, 다른 방향(역방향)에는 고저항을 발생한다. 이들은 검파용·정류용·개폐용 등에 사용한다.
다이오드의 주된 형으로는 신호용 다이오드(signal diode)·전력의 정류용 다이오드(power rectifier diode)·전압조절용 다이오드(voltage regulator diode)·전압보상용 다이오드(voltage reference diode)를 들 수 있다.

(Ⅱ) 트랜지스터(transistor) : 전류를 증폭·발진·주파수 변환·스윗칭시킬 수 있는 능력을 가진 3단자 소자와 4단자 소자이다. 트랜지스터(transistor)는 제3의 단자에 전계(電界 : electric field)를 가하여 다른 두 개의 단자간의 저항을 변화시켜 이에 의하여 작동한다. 부가된 제어신호나 자계(磁界)는 저항의 변화에 의하여 생기는 작동보다 약하므로 증폭 작용이 일어난다.
트랜지스터(transistor)에는 다음의 것들을 포함한다.

(1) 쌍극성 트랜지스터(bipolar transistor) : 두 개의 다이오드(diode)형의 접합으로 구성하는 3단자 소자로서, 트랜지스터의 작용은 정과 부 양전하의 캐리어(carrier)에 의한다[그러므로 쌍극성(bipolar)이라 한다].

(2) 전계(電界)효과 트랜지스터[또한 금속산화물반도체(MOS)로 알려져 있다] : 이것은 접합을 갖거나 갖지 않을 경우도 있으나 어느 것이든 두 개의 단자간에 전하 운반자(carrier)를 감소시키거나 증가시켜 작용시킨다. 전계(電界)효과 트랜지스터에서는 한 종류의 전하 운반자(carrier)만으로 트랜지스터 작용을 행한다(그러므로 단극성이라 한다). 기생 다이오드는 MOS 타입 트랜지스터(또한 MOSFET로도 알려져 있다) 내에서 만들어지는데, 유도 부하 스위칭(inductive load switching)이 이루어지는 동안에 프리휠링 다이오드(freewheeling diode)로서 작동하게 된다. 네 개의 단자를 가진 MOSFET는 사극관(四極管 : tetrode)이라 알려져 있다.

(3) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor). 한 개의 게이트 단자와 두 개의 부하 단자[에미터(emitter)와 컬렉터(collector)]로 구성된 3-단자 디바이스이다. 게이트와 에미터 단자에 적정한 전압을 부여함으로써, 한쪽 방향의 전류를 통제(즉, 접속과 차단)을 할 수 있다. IGBT 칩은 단일의 패키지(패키지형 IGBT 디바이스) 내에 다이오드를 내장하고 있을 수 있는데, 이것은 IGBT 디바이스를 보호하는 동시에 계속하여 트랜지스터로서 기능할 수 있도록 해준다.

(Ⅲ) 반도체 기반의 트랜스듀서
이 류의 주 제12호가목 1)에 규정한 바와 같이, 이들은 반도체 기판이나 반도체 재료가 어떠한 종류의 물리적·화학적 현상·활동을 전기적 신호로 변환하거나 전기적 신호를 물리적인 현상·활동으로 변환하는 핵심적이고 대체할 수 없는 역할을 수행하는 장치이다.
반도체 기반의 트랜스듀서는 독립적인 기술적 유닛(unit)의 특성을 가지고 있으며, 가공하지 않은 다이 제품(bare die product)이나 패키지(package)로 제시될 수 있다. 반도체 기반의 트랜스듀서를 구성하는 부품(트랜스듀서의 구조나 기능수행이 가능하도록 해주는 분리불가능하게 부착되어 있는 능동이나 수동 개별 구성부품을 포함한다)은 모든 의도와 목적상 분리불가능하게 결합되어야만 한다. 즉 이론적으로는 일부 구성부품을 제거하고 대체할 수는 있지만 정상적인 제조 조건에서는 비경제적이다. 트랜스듀서에서 핵심적인 역할을 수행하지 않는 반도체 기반이 아닌 구성부품은 센서(sensor)·액추에이터(actuator)·공진기(resonator)·오실레이터(oscillator)로서의 트랜스듀서의 기능에 기여하는 경우에만 트랜스듀서의 부분품으로 허용된다. 이러한 구성부품의 전형적인 예들은 다음과 같다(그러나 이에 한정하지는 않는다).

(ⅰ) 패키지(packagr)로서, 일반적으로 상호 연결을 위한 금속 와이어(내부 외부 와이어 본드 연결), 리드프레임(leadframe), 인캡슐레이션(encapsulation), 기판 등으로 구성되어 있는 것; 또는

(ⅱ) 기능을 가능하게 하거나 보조하는 구성부품(예: 자석, 광학소자 등)

"반도체 기반(semiconductor-based)"이라는 정의에는 반도체 재료의 고유한 특성이 아닌 트랜스듀서에 기능을 제공하는 요소도 포함한다. 이러한 요소의 특성은 반도체 기술[마이크로 기계작업(micro machining)]을 사용함으로써, 마이크로미터 단위의 고(高)정밀도로 제조할 수 있는 능력과 함께, 기계적 강도, 유연성, 열전도성, 광학적 반응성, 내화학성 등이 포함될 수 있다. 이러한 요소에는 예를 들어, 두께(thickness)나 탄성 유연성(elastic flexibility)에 의해 트랜스듀서의 기능을 가능하게 하는 멤브레인(membrane), 봉(bar), 캔티레버(cantilever), 캐비티(cavity), 반사경(mirror), 채널(channel) 등이 포함될 수 있다.
반도체 기반의 트랜스듀서에 사용되는 재료에는 예를 들어, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄소(C), 실리콘 게르마늄(SiGe), 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 비소화갈륨(GaAs), 비소화인듐갈륨(InGaAs), 인화갈륨(GaP), 인화인듐(InP), 텔루르화주석(SnTe), 산화아연(ZnO)과 산화갈륨(Ga2O3)이 포함된다.
"반도체 기술에 의한 제조"라는 표현은 웨이퍼(wafer) 레벨(level)에서 가공하는 분야로서, 연마(grinding), 광택(polishing), 도핑(doping), 회전도포(spin coating), 이미징(imaging), 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 갈바닉(galvanic), 현상(developing), 스트리핑(stripping), 식각(蝕刻 : etching), 베이킹(baking), 프린팅(printing) 공정을 말한다.
반도체 기반 트랜스듀서의 형태는 다음과 같다.

(1) 반도체 기반 센서(semiconductor-based sensor) : 주 제12호가목 1) 다)에 정의되어 있다.
센서의 한 예는, 반도체기반 음향 센서로서 실리콘 마이크로폰에 사용되는 마이크로전자기계시스템(Micro-Electro-Mechanical Systems)(MEMS) 소자이다. 마이크로전자기계시스템(MEMS) 소자는 뻣뻣하고(stiff) 구멍이 뚫린 뒤판(backplate)과 실리콘 기판 위에 있는 유연한 막(flexible membrane)으로 구성되며, 그 기능은 음파(sound wave)를 가변적인 전기적 출력(variable electrical output)으로 변환하는 것이다. 음파는 물리적인 양으로서 막에 부딪쳐 진동하게 하고 그 진동을 통해 가변적인 전기적인 출력(output)을 만든다.
센서의 또 다른 형태는 가스 센서(gas sensor)인데, 이것은 전자 공여체/수용체(donors/
acceptors) 흡착(adsorption)을 이용하여 표면적이 매우 높은 그래핀(graphene)의 저항
(resistance) 을 변화시킨다.

(2) 반도체 기반 액츄에이터(semiconductor-based actuator) : 주 제12호가목 1) 라)에 정의되어 있으며, 예로서는, 전자-열(electro-thermally)로 작동되는 마이크로전자기계시스템(Micro-Electro-Mechanical System)(MEMS) 반사경(mirror)을 들 수 있는데, 이것은 전형적으로 레이저 빔을 굴절시키기 위해 다양한 범위의 응용분야[예: 섬유-대(對)-섬유 광학 스위칭(fibre-to-fibre optical switching), 레이저 투영기(laser projector), 자율 주행·레이저 추적(laser tracking)·위치 측정 등에서 빛 감지와 거리 측정(Light Detection and Ranging : LIDAR) 등]에 사용한다. 전자-열(electro-thermally)로 작동되는 반사경(mirror)은 열 팽창성이 다른 반도체 기반의 구조물에 따라 작용하는 가열기 부품에 의해 움직인다.

(3) 반도체 기반 공진기(semiconductor-based resonator) : 주 제12호가목 1) 마)에 정의되어 있으며, 예로서는, 필름 체적 탄성파 공진기(film bar acoustic wave resonator)
(FBAR) 을 들 수 있는데, 이것은 무선 장치의 다중화(mutiplexing)용이나 채널 선택용으로 RF(Radio Frequency : 무선주파수) 기술에서 사용한다.

(4) 반도체 기반 오실레이터(semiconductor-based oscillator) : 주 제12호가목 1) 바)에 정의되어 있으며, 물리적 현상[공진기 안에 저장된 전자기장(電磁氣場 : electromagnetic field)의 에너지]을 전기적 신호[동조 전압(tuning voltage)에 따른 주파수를 가지는 출력 전압]으로 변환하는 것이다.

(Ⅳ) 그 밖의 반도체 디바이스(semiconductor device)
여기에는 다음의 것을 포함한다.

(1) 사이리스터(thyristor) : 세 개 이상의 p·n접합을 갖는 반도체 물질 속에 네 개의 전도영역을 이루고 있으며 제어펄스가 전도를 개시하면 미리 정해진 방향으로 직류가 흐른다. 이들은 제어정류기·스위치·증폭기로 사용하며, 공통 콜렉터/베이스접합을 갖는 두 개의 연동하는 상호 보완형 트랜지스터(transistor)로 기능하는 것이다.

(2) 트라이액(triac)[2방향의 삼극관 사이리스터(thyristor)] : 네 개의 p·n접합을 갖는 반도체의 물질 속에 다섯 개의 전도 영역을 이루고 있으며 제어 펄스가 전도를 개시하면 교류가 흐르는 것이다.

(3) 다이액(diac) : 반도체 재료(두 개의 p·n접합)속에서 세 개의 전도권으로 형성되며, 트라이액을 작동하는데 필요한 펄스를 제공하기 위하여 사용한다.

(4) 버랙터(varactor)(또는 가변용량 다이오드)

(5) 전계(電界)효과형소자(field effect device) : 그리디스터(gridistor)와 같은 것

(6) 건효과형 소자(gunn effect device)
다만, 이 그룹에는 위에 열거한 것과는 달리 그 작동이 주로 온도·압력 등의 사용에 따라 행해지는 비선형반도체 저항기[서미스터(thermistor)·바리스터(varistor)·자기저항기 등]와 같은 반도체소자는 제외한다(제8533호).
광선에 의하여 작용하는 감광성소자[포토다이오드(photodiode) 등]에 대하여는 (B)그룹을 참조할 것.
앞에서 설명한 디바이스는 단자나 도선(導線)[예: 기판이나 리드프레임과 같은 캐리어(carrier)에 장착된 핀(pin), 리드(lead), 볼(ball), 랜드(land), 범프(bump)나 패드(pad)]을 장착하여 밀봉시킨 것(components)이라든가, 장착되어 있지 않은 것(elements), 조각으로 잘려 있지 않은 디스크상(wafers)인지에 상관없이 이 호에 분류한다. 다만, 천연의 반도체 재료[예: 방연광(方鉛鑛 : galena)]는 장착되어 있는 경우에 한정하여 이 호에 분류한다.
그러나, 이 그룹의 반도체 기반 트랜스듀서는 실리콘 기반의 센서(sensor)·액추에이터(actuator)·공진기(resonator)·오실레이터(oscillator)와 그 결합물(combinations)로서 하나 이상의 모노리식 집적회로, 하이브리드 집적회로, 복합구조칩 집적회로를 포함하거나 이 류의 주 제12호나목 4)에서 규정한 복합부품 집적회로를 포함하고 있는 것은 제외한다(제8542호).
이 호에서는 또한 다음의 것들을 제외한다.

(a) 전자공업에서 사용하기 위해 도프 처리된 화학원소(예: 실리콘과 셀레늄)로서, 인상가공하지 않은 모양이나 실린더 모양·막대(rod) 모양의 것(제28류)과, 디스크 모양·웨이퍼 모양이나 이와 유사한 모양으로 절단한 것(제3818호)

(b) 전자공업에서 사용하기 위하여 보통 낮은 비율로 특정 첨가제(예: 게르마늄·요드)를 함유하고 있는 셀렌화카드뮴과 아황산카드뮴·비산인듐 등과 같은 화학화합물[실린터·봉(rod) 등의 모양인지 여부나 디스크 모양·웨이퍼 모양이나 이와 유사한 모양으로 절단한 것인지에는 상관없다](제3818호)

(c) 전자공업에서 사용하기 위하여 도프 처리된 결정(crystal)으로서, 디스크 모양·웨이퍼 모양이나 이와 유사한 모양의 것[광택낸 것인지와 균일한 에피텍셜층(uniform epitaxial layer)으로 도포되어 있는지에는 상관없으나, 개별 영역(discrete regions)을 만들기 위해 선택적으로 도프 처리되지도 않고 확산되지도 않은 것이어야 한다](제3818호)

(d) 전자집적회로(제8542호)

(e) 몰딩된(moulded) 모듈, 마이크로 모듈이나 이와 유사한 형태의 마이크로 조립품(micro-assembly)으로서 개별 부품[능동부품(active)이나 능·수동부품(both active and passive)]이 결합되어 상호연결된 것(일반적으로 제84류, 제85류나 제90류)

(B) 감광성 반도체 디바이스(photosensitive semiconductor device)
이 그룹에는 가시광선, 적외선, 자외선의 작용이 내부 광전효과에 의해 저항을 변경하거나 기전력(起電力)을 발생하는 감광성 반도체 디바이스를 포함한다.
광전관(photoemissive tube)[또는 광전셀(photoemissive cell)]은 그 작용이 외부 광전효과[광전자 방출(photoemission)]에 기초를 두므로 제8540호에 속한다.
감광성 반도체 디바이스의 주요 형태는 다음과 같다.

(1) 광전도 셀(photoconductive cell)[광저항체(light dependent resistor)] : 보통 두 전극 사이에 반도체 재료(황화카드뮴·황화납 등)가 들어 있는 것으로, 반도체 재료의 전기저항은 셀에 들어오는 빛의 강도에 따라 변화되는 것이다.
이러한 것들은 화염검출기·자동카메라용 노출계·이동 물체의 계수용 노출계·자동정밀측정 장치용 노출계·자동문 개폐장치 등에 사용한다.

(2) 광전지(photovoltaic cell) : 이는 외부 전원을 요하지 않고 빛을 직접 전기적 에너지로 변환시키는 것이다. 셀레늄(selenium)을 기본재료로 한 광전지는 주로 조도계와 노출계에 사용하며, 실리콘을 기본재료로 한 광전지는 고도의 출력을 가져 특히 제어나 조절장치에 사용하며, 광섬유 등을 사용하는 통신장치에 있어서는 빛의 임펄스(impulse)를 검출하기 위한 것이다.
광전지의 특수한 종류는 다음과 같다.

(ⅰ) 태양전지(solar cell) : 이는 태양광선을 직접 전기적 에너지로 변환시키는 실리콘 광전지이다. 이들은 보통 집합하여 로켓과 우주탐사용 위성이나 산악구조용 송신기 등의 전원으로 사용한다.
이 호는 또한 모듈(modules)에 조립되었거나 패널(panels)로 구성되었는지에 상관없이 태양전지를 포함한다. 그러나 이 호에는 동력을 전동기·전해조에 직접 공급하는 것과 같은 소자[예를 들면, 전류의 방향을 제어하기 위한 다이오드(diode)와 같이 단순한 것일지라도]를 부착한 패널(panel)이나 모듈(module)을 제외한다(제8501호).

(ⅱ) 포토다이오드(photodiode)(게르마늄·실리콘 등) : 본 물품의 특징은 광선이 pn접합(junction)을 두들길 때 저항이 변경되는 것이다. 이들은 자동자료처리공정(저장자료를 읽는 것)에 있어서 특정의 전자 관속에 광전관(photocathode)으로 사용하거나, 방사고온계 등에 사용한다. 포토트랜지스터(phototransistor)와 포토사이리스터(photothyristor)는 광전수신기의 부류에 속한다.
이 범주에 해당하는 디바이스는 빛이 통과할 수 있도록 이들의 하우징(housing)이 부분적으로 투명하게 포장되어 있어, 앞에서 설명한 (A) 부분의 다이오드(diode)·트랜지스터(transistor)·사이리스터(thyristor)와 구별한다.

(ⅲ) 포토커플(photocouple)과 포토릴레이(photorelay) : 이는 포토다이오드(photodiode)·포토트랜지스터(phototransistor)·포토사이리스터(photothyristor)를 결합한 전계발광 다이오드(electroluminescent diode)로 구성되는 것이다.
감광성 반도체 디바이스는 장착[예: 터미널(terminal)이나 도선(導線 : leads)을 가지고 있다]하였거나 패키지(packaged)하거나 장착하지 않고 제시하였는지에 상관없이 이 호에 분류한다.

(C) 발광다이오드(light emitting diode)(LED)
발광다이오드(LED)나 전계발광다이오드(electroluminescent diode)(특히 비화갈륨, 인화갈륨이나 질화갈륨을 기본재료로 한 것)는 전기에너지를 가시광선·적외선·자외선으로 변환시키는 디바이스이다. 이들은 예를 들어, 제어장치(control system)속에서 자료를 표시하거나 전달해 주는데 사용하거나 조명기구 응용분야(illumination and lighting application)에 사용한다.
레이저다이오드(laser diode)는 가(可)간섭성(coherent)의 광선을 발산하며, 예를 들면, 핵입자 검출용·고도측정장치용이나 원격측정장치용·광섬유를 사용하는 통신장치에 사용한다.
이 그룹에는 다음의 것들도 포함한다.

(1) 발광다이오드(LED) 패키지
이들은 단일의 전기 구성부품으로서 주로 하나 이상의 발광다이오드(LED) 칩[다이(dies)]가 밀봉되어 있으며, 광학소자나 열(熱)적·기계적·전기적 인터페이스[예: 외부 제어회로와 접속하기 위한 와이어(wires)을 포함한 전기 접속자]를 포함하고 있을 수도 있다.
보호용 다이오드[예: 제너 다이오드(Zener diode)]는 질화갈륨 기반의 발광다이오드(GaN LED) 칩을 GaN LED 패키지의 일부에 발생하는 정전(靜電) 부하(負荷)(electrostatic discharge)로부터 보호하기 위해 GaN LED 칩에 역(逆)병렬로 연결되어 있을 수 있다.
백색 LED 패키지에는 두 가지의 기본 형태가 있다. 첫 번째 형태는 LED칩과 형광물질[인광체(燐光體 : phosphor)]의 조합으로 구성되어 있다.
백색 LED 패키지의 두 번째 형태는 적색 LED칩, 녹색 LED칩(들)과 청색 LED칩의 조합물로 구성되어 있다. 백색 LED 패키지는 일반 조명용과 백라이트(backlight) 분야에서 사용한다.

(2) 발광다이오드(LED) 조립품
이러한 조립품은 인쇄회로기판 위에 장착된 발광다이오드(LED) 패키지로 구성되어 있으며, 광학소자와 열(熱)적·기계적·전기적 인터페이스[예: 외부 제어회로와 접속하기 위한 와이어(wires)을 포함하는 전기접속자]를 포함할 수도 있다.
LED 조립품(LED assemblies)은 AC(교류) 전력을 정류하고 LED에서 사용할만한 수준으로 조절하기 위해 DC(직류) 전류를 조절하는데 필요한 제어회로는 갖추고 있지 않다.
LED의 갯수는 LED의 기능을 변경하지 않고 단지 빛의 강도(intensity)에만 영향을 준다.
특정의 LED 조립품은 LED 패키지 대신에 LED 칩을 사용한다. 이러한 칩은 인쇄회로기판 위에 장착되어 있으며, 인광체(燐光體 : phosphor) 같은 것으로 전체적으로나 개별적으로 밀봉되어 있다.

(D) 장착된 압전기 결정소자(mounted piezo-electric crystal)
이러한 것은 주로 티탄산바륨(티탄산바륨의 다결정을 분극한 요소를 포함한다), 제3824호의 지르코산 티탄산납(lead titante zirconate)이나 그 밖의 결정(그 호의 해설 참조), 수정이나 전기석의 결정이며, 마이크로폰(microphone)·확성기·초음파 기기·안정된 주파수의 발진회로 등에 사용한다. 이러한 것은 장착된 경우에만 이 호에 분류하며 일반적으로 판·봉·원판·환 등의 형태이며, 최소한 전극이나 전기접속자를 부착하고 있어야 한다. 이들은 흑연·바니시(varnish) 등이 도포되었거나 지지물 위에 배열되어 있고 흔히 용기내부(예: 금속상자·유리전구)에 있다. 그러나 그 밖의 구성요소를 부가시킴으로 말미암아 완전한 물품(결정소자를 가한 것)이 이미 단순한 결정소자로 간주하지 않고 기기의 특수 부분품으로서 인정되는 것이라면 이 조립품은 해당 기기의 부분품으로서 분류한다. 예를 들면, 마이크로폰(microphone)이나 확성기용 압전기전지(제8518호)·사운드헤드(sound-head)(제8522호)나 초음파 두께 측정기·초음파검사기용의 픽업 엘리먼트(feeler)(일반적으로 제90류의 주 제2호나목에 따라 분류하거나 경우에 따라 제9033호에 분류)·전자시계용 쿼츠 발진기(quartz oscillator)(제9114호).
이 호에는 또한 장착되지 않은 압전기결정소자를 제외한다(일반적으로 제3824호·제7103호·제7104호).

[소호해설]

소호 제8541.21호
트랜지스터(transistor)의 전력 낭비율은 온도가 섭씨 25℃로 한정된 용기를 사용하여 디바이스에 특수 작용전압을 작용해 주면서 계속적인 전력 취급용량을 계량함으로써 측정한다. 예를 들면, 트랜지스터를 5볼트의 특수 작용 전압에 계속적으로 0.2암페어의 취급용량을 부하하여 용기의 온도를 섭씨 25℃로 유지하면 그 낭비율은 1와트이다(암페어 × 볼트 = 와트).
열낭비가 있는 장치[예: 탭(tab)·금속제 케이스]가 달린 트랜지스터(transistor)에 대하여는 섭씨 25℃의 기준온도가 바닥이나 케이스의 온도인데 반하여, 그 밖의 트랜지스터(예를 들면, 간단한 플라스틱 케이스가 달린 것)에 대해서는 실온(室溫)을 적용한다.

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