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84.86 - 반도체 보울(boule)이나 웨이퍼(wafer)·반도체디바이스·전자집적회로·평판디스플레이의 제조에 전용되거나 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제9호다목에서 특정한 기계와 기기, 그 부분품과 부속품
[호해설]
이 호에는 반도체 보울(boules)이나 웨이퍼(wafers)·반도체 디바이스·전자집적회로·평판디스플레이의 제조에 전용되거나 주로 사용하는 종류의 기계와 장치를 분류한다. 그러나 이 호에는 측정, 검사, 화학분석 등의 기계와 기기는 제외한다(제90류). (A) 보울(boules)이나 웨이퍼(wafers) 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 다음과 같은 보울(boules)이나 웨이퍼(wafers) 제조용 기계와 기기를 분류한다. (1) 존 멜팅(zone melting)과 실리콘 봉 정제를 위한 1회 용융(鎔融)용 로(爐), 웨이퍼(wafer) 표면 산화를 위한 산화로(爐)와 웨이퍼(wafer)에 불순물을 도핑하기 위한 확산로(爐) (2) 결정 성장기나 결정 인상장치(pullers) : 얇게 절단되어진 웨이퍼(wafer)나 고순도 단결정 반도체 보울(boule)을 생산하는 기계 (3) 결정 연마기 : 웨이퍼(wafer)에서 요구되는 정밀한 직경으로 단결정 보울(boule)을 연마하거나 단결정에서 요구되는 전기전도 형태와 저항을 나타내기 위하여 보울을 평평하게 연마하는 기계 (4) 웨이퍼(wafer)를 얇게 절단하는 톱기계(wafer slicing saws) : 단결정(monocrystalline) 반도체 재료인 보울(boule)을 웨이퍼로 얇게 절단하는 기계 (5) 반도체 웨이퍼(wafer)를 가공 가능한 상태로 만들어 주는 웨이퍼 연마기(wafer grinders), 래퍼(lappers, 광택기(polishers) : 여기에는 웨이퍼의 치수를 허용오차 이내로 만들어 주는 것까지 포함한다. 특히 표면의 편평도는 매우 중요하다. (6) 화학적·기계적 광택기(CMP : chemical mechanical polishers) : 화학적인 제거와 기계적인 버핑(buffing) 연마가 같이 수행되어 웨이퍼(wafer)의 평면을 평탄하게 하고 연마하는 기계 (B) 반도체디바이스나 전자집적회로 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 반도체디바이스나 전자집적회로 제조용 기계와 기기를 분류한다. 예를 들면, (1) 막 형성 장비(film formation equipment) : 이 장비는 웨이퍼(wafer) 가공 공정에서 웨이퍼(wafer) 표면에 여러 가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성된 디바이스 상에서 도체, 절연체와 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속과 에피택시 층(epitaxial layers)의 산화물(酸化物)과 질화물 등을 포함하고 있다. 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다. (a) 산화로(爐) : 웨이퍼(wafer) 위에 산화 막을 형성한다. 이 산화물(酸化物)은 인가된 산소와 증기로 웨이퍼(wafer) 최상층 분자 층에 화학반응으로 형성된다. (b) 화학기상증착(CVD : Chemical Vapour Deposition) 장비 : 이 장비는 높은 온도의 반응 체임버(chamber) 내에서 적절한 가스와 결합하여 만든 여러 가지 형태의 필름을 증착시키는 장치이다. 이 반응은 열화학적 기상 반응으로 이루어져 있다. 이러한 반응 작용은 상압(atmospheric pressure)이나 저압상태(LPCVD)에서 이루어질 수 있고 플라즈마(plasma) 화학증착을 이용할 수도 있다. (c) 물리기상증착(PVD : Physical Vapour Deposition) 장비 : 어떠한 고체를 기화시킴으로써 얻는 다양한 형태의 막을 증작시킨다. 예를 들면, (1) 증발증착장비 : 원료물질이 가열되어 막을 생성한다. (2) 증착(sputtering) 장비 : 이온이 있는 원료물질을 포격함으로써 막을 생성한다. (d) 분자선 결정 성장(MBE : Molecular Beam Epitaxy) 장비 : 이 장비는 초고진공 상태에서 가열된 단결정 기판 상에 분자의 빔을 이용하여 에피택시 층(epitaxial layers)을 성장시킨다. 이 공정은 물리기상증착 공정과 유사하다. (2) 도핑(doping) 장비 : 반도체 층의 전도성이나 그 밖의 특성을 변형시키기 위하여 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시키는 장치. 예를 들면, (a) 열 확산 장비(thermal diffusion equipment) : 장비 내에서 고온 하에서 반응 가스에 의해 웨이퍼(wafer) 표면에 불순물을 주입시킨다. (b) 이온주입기(Ion Implantation) : 가속된 이온빔의 형태로 웨이퍼(wafer) 표면의 단결정 격자구조 내로 불순물을 이동시킨다. (c) 소둔(燒鈍)로 : 이온주입에 의해서 손상된 웨이퍼(wafer)의 단결정 격자 구조를 수리한다. (3) 식각(etching)과 스트리핑 감광액 박리장비 : 웨이퍼 표면을 식각하거나 세척한다. 예를 들면, (a) 습식 식각 장비(wet etching equipment) : 장비 내에서 분사나 침적 방식에 의해 화학 식각 물질을 반응시킨다. 스프레이 식각기는 한 번에 웨이퍼 하나씩 처리하기 때문에 수조방식의 식각기에 비해 보다 균일한 결과물을 얻을 수 있다. (b) 건식 플라즈마 식각(dry plasma etching) : 플라즈마(plasma) 에너지 대역에 가스와 함께 원료 물질이 제공되어 이방성 식각형태를 띄게 된다. 건식 식각기(dry-etchers)는 몇 가지 다른 방법으로 기체플라즈마(plasma)를 생성하여 반도체 웨이퍼로부터 박막재료를 제거한다. (c) 이온 빔 밀링 장비(ion beam milling equipment) : 장비 내에서 이온화된 가스 원자가 웨이퍼(wafer) 표면을 향해 가속되어진다. 이 충돌의 결과로 최상층이 표면으로부터 물리적으로 제거된다. (d) 잔류 감광액 박리기나 굳어진 감광액 박리기(ashers) : 식각과 유사한 기술을 사용하는 이 기기는 웨이퍼(wafer) 표면의 감광액이 도포장치인 스텐실(stencil)의 역할을 다 한 후, 웨이퍼(wafer) 표면으로부터 사용한 감광액을 제거한다. 이 장비는 또한 질화물, 산화물과 다중 실리콘 등을 등방성(等方性) 식각 형태로 제거한다. (4) 석판인쇄 장비(lithography equipment) : 감광액이 도포된 반도체 웨이퍼(wafer) 표면에 회로모형을 전사하는 기계로 예를 들면, (a) 웨이퍼(wafer)에 포토레지스트(photoresist)를 도포하는 장비 : 이 장비에는 액상의포토레지스트를 웨이퍼(wafer) 표면 전체에 균일하게 포토레지스트를 회전방식으로 도포하는 기계도 포함한다. (b) 웨이퍼(wafer)에 도포된 포토레지스트에 회로모형을 노광하는 장비(또는 그 부분품) (ⅰ) 마스크(mask)나 레티클(reticle)을 사용하여 감광액을 빛(보통 자외선)이나 예를 들면, 엑스레이 등에 노출시키는 장비 (a) 밀착인화기(contact printers) : 노광(露光)하는 동안 마스크나 레티클(reticle)은 웨이퍼(wafer)에 접촉한다. (b) 근접형 정렬기(proximity aligners) : 마스크나 레티클(reticle)과 웨이퍼(wafer) 사이에 실제적인 밀착이 일어나는 것을 제외하고는 밀착인화기와 유사하다. (c) 스캐닝 정렬기(scanning aligners) : 끊임없이 위치를 바꾸어 움직이는 슬릿(slit)이 마스크와 웨이퍼(wafer)를 교차하여 노광하기 위하여 투사(projection)기술을 사용한다. (d) 스텝 앤드 리피트 얼라이너(step and repeat aligners) : 한 번에 하나씩 해당 웨이퍼의 한 부분을 노광하는 투사기술을 사용한다. 마스크에서 웨이퍼(wafer)에 작은 형태로 복사하는 과정(축사, 縮寫)에서 노광(露光)되거나, 동일한 크기로 복사하는 과정에서 노광될 수 있다. 엑시머 레이저(excimer laser)를 향상시키는 것도 포함한다. (ⅱ) 웨이퍼(wafer)에 직접 그리는 장비 : 이 장비는 마스크나 레티클(reticle) 없이 조작한다. 이들 기기는 감광액이 도포된 웨이퍼(wafer) 상에 직접 회로 모형을 그리는 "라이팅 빔(writing beam)"[전자빔(E-빔), 이온빔이나 레이저 빔과 같은]을 제어하는 자동자료처리기계를 사용한다. (5) 노광(露光)된 웨이퍼(wafer)를 현상하는 장비 : 이 장비는 사진 작업실에서 쓰는 것과 유사한 화학용 수조(bath)도 포함한다.
이 호에는 다음의 것도 포함한다. (ⅰ) 감광액으로 웨이퍼(wafer)나 절연 기판에 회전방식으로 도포하는 원심 분리기 (ⅱ) 절연기판 위에 식각방지용 잉크를 프린팅하는 스크린 프린터(screen printers) (ⅲ) 웨이퍼(wafer)를 칩으로 분할하는[절단하는(dicing)]데 사용하는 레이저로 선을 긋는 기기 (ⅳ) 웨이퍼(wafer) 절단용(dicing) 톱기계 (C) 평판디스플레이 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 평판으로 기판(基板 : substrates)을 제조하는 기기를 포함한다. 그러나 유리 제조용 기기나 인쇄회로나 평판 상에 그 밖의 전자부품을 조립하는 기기는 포함하지 않는다.
이 그룹에는 평판디스플레이 제조용의 기계와 기기를 포함한다. 예를 들면, (1) 식각(etching)·현상(developing)·잔류감광액 스트리핑·세척용의 기기 (2) 회로모형을 투사하거나, 그리거나 도금하는데 사용하는 기기 (3) 원심 회전방식으로 건조하는 기기와 그 밖의 건조용 기기 (4) 사진용 감광유제(photographic emulsion)를 도포하기 위한 기계[스피너(spinners)] (5) 도핑(doping)용 이온 주입기(ion implanters) (6) 노(爐), 오븐과 그 밖의 확산, 산화, 담금질과 급속가열용의 장비 (7) 화학기상증착기(CVD)와 물리기상증착기(PVD) (8) 연마기와 광택기 (9) 절단, 금을 긋거나 직선의 흠을 파내는 기계 (D) 이 류의 주 제9호다목에서 특정한 기계와 기기
이 그룹에는 다음 용도에 사용하는 종류의 것으로서, 전용되거나 주로 사용하는 기계와 기기를 포함한다. 예를 들면, (1) 마스크(masks)와 레티클(reticles)의 제조용이나 수리용의 기계[예를 들면, 사진식의 포토마스크 제조용 기기(포토플로터(photoplotters)), 마스크와 레티클 수리를 위한 이온 밀링기(ion milling machines) 등] (2) 반도체 디바이스나 집적회로 조립용 기기, 예를 들면, (a) 레이저 조각기 : 완성된 모놀리식(monolithic) 집적회로나 개별 반도체 부품의 플라스틱 케이싱을 조각한다. (b) 프레스(press) 등 캡슐화(encapsulation) 장비 : 칩 주변의 플라스틱 물질을 압착하여 칩이 들어있는 플라스틱의 케이스로 만든다. (c) 와이어 본더(wire bonders) : 초음파나 전기적인 압력 용접 방식으로 모놀리식 집적회로의 접점에 금선(gold wires)으로 용접하는 기기 (d) 웨이퍼 범핑(wafer bumping)기기 : 다이 형태로 절단하기 이전에 전체 웨이퍼(wafer) 위에 접속단자를 형성한다. (3) 보울, 웨이퍼(wafers), 반도체 디바이스, 전자집적회로와 평판디스플레이의 권양(捲楊), 취급, 양하(楊荷)와 적하(積荷)용의 기기(예를 들면, 반도체 웨이퍼, 웨이퍼 카세트, 웨이퍼 박스와 그 밖의 반도체 디바이스용 원료를 운송, 취급하거나 저장하기 위한 자동 원료하역기 등) (E) 부분품과 부속품
부분품의 분류에 관한 일반규정(제16부 총설 참조)에 의하여, 이 호에는 이 호에 분류하는 기계와 기기의 부분품과 부속품을 포함한다. 이에 따라 이 호에 분류하는 부분품과 부속품에는 특히, 이 호의 기계와 기기에 전용되거나 주로 사용하는 툴홀더(tool holders)와 그 밖의 특수 부착물 등을 포함한다.
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