제8542호 전자집적회로

[호해설]
이 호의 물품은 이 류의 주 제8호 나목에 정의되어 있다.
전자집적회로는 수동소자 또는 수동부품 및 능동소자 또는 능동부품을 고밀도로 조합시킨 초소형화 된 장치이며, 단일유닛으로 간주되는 것이다("수동" 또는 "능동"으로 간주되는 소자 또는 부품에 관해서는 제8534호의 해설 첫째 문항 참조). 다만, 수동소자만으로 구성되는 전자회로는 이 호에서 제외된다.
전자집적회로와 달리 개별 부품은 단일의 능동 전기기능 (제85류 주 제8호 가목에서 정의된 반도체 디바이스) 또는 단일의 수동 전기기능 (저항·축전기·인덕턴스 등)을 갖출 수 있다. 개별부품은 분리불가능하며 시스템의 기본적인 전자구성 부품이다.
그러나 집적회로와 같이 몇 개의 전기회로 요소로 구성되어 여러가지의 전기기능을 가지는 부품은 개별부품으로 취급되지 않는다.
전자집적회로에는 메모리[예: DRAM·SRAMs·PROMS·EPROMS·EEPROMS(또는 E2PROMS)]·마이크로 컨트롤러·제어회로·논리회로·게이트 어레이·인터페이스 회로 등이 있다.

전자집적회로에는 다음의 것들이 포함된다.

(Ⅰ) 모노리식 집적회로
이것은 반도체재료(예: 도프 처리된 규소)의 표면에 다이오드·트랜지스터·저항기·축전기·접속기 등의 회로소자를 한데 모아서 불가분의 상태로 조합한 초소형회로이다. 모노리식 집적회로는 디지털·리니어(아날로그) 또는 디지털-아날로그일 수 있다.

모노로식 집적회로에는 다음의 상태로 제시되는 것도 있다.

(ⅰ) 장착되어 있는 것 : 단자 또는 도선(lead)을 갖춘 것으로서 도자기·금속 또는 플라스틱에 봉입되어 있는 것인지의 여부를 불문한다. 봉입한 케이싱(casing)은 원통형·평행육면체 등의 형상일 수도 있다.

(ⅱ) 장착되어 있지 아니한 것 : 칩(chip)의 것(보통직사각형의 것으로서 옆쪽의 길이가 일반적으로 수㎜ 정도의 것)

(ⅲ) 절단하지 아니한 웨이퍼(wafer)형상의 것[즉, 칩(chip)으로 절단하지 아니한 것]

모노리식 집적회로에는 다음의 것을 포함한다.

(ⅰ) 금속산화물 반도체(MOS 테크놀로지)

(ⅱ) 바이폴라 테크놀로지로 만든 회로

(ⅲ) 바이폴라와 모스 테크놀로지가 결합하여 만든 회로(BIMOS technology)

모스(MOS), 특히 시모스(CMOS : 보완된 금속산화물 반도체)와 바이폴라(bipolar) 테크놀로지는 트랜지스터 제조에 관련된 "특유의" 기술이다. 모노리식 집적회로의 기초 구성요소(component)로서 이들 트랜지스터는 집적회로에 동질성(identity)을 부여한다. 바이폴라 회로는 최대 논리 속도를 요하는 곳에 적합하다. 반면에 모스회로는 고 부품밀도(high component density)와 저 에너지 요구량이 필요한 시스템에 더 적합하다. 게다가 시모스 직접회로는 에너지 요구량이 가장 낮다. 따라서 전력 공급이 제한되거나 냉각문제가 예상되는 곳에 유리하다.
바이폴라와 모스 테크놀러지 간의 보완적 관계는 고 집적된 바이폴라 회로의 속도와 적은 전력을 소모하는 시모스 회로가 결합된 비시모스(BICOMOS)에서 더욱 명백하다.

(Ⅱ) 하이브리드 집적회로
이것은 박막 또는 후막의 회로가 형성된 절연재료제의 기판위에 만들어진 초소형회로이다.
이러한 제조 과정은 어떤 수동소자(저항기·축전기·인덕턴스 등)가 동시에 제조되도록 하는 것이다. 그러나 이 호의 하이브리드집적회로가 되기 위해서는 반도체가 칩의 형태이거나(용기에 넣어졌는지의 여부를 불문한다). 또는 용기에 넣어진 반도체(예: 특별히 설계된 축소용기)의 형태로 내장되고 표면에 장착되어야 한다. 하이브리드집적회로는 또한 반도체와 같은 방법으로 기초회로에 내장되는 별도 제조된 수동소자를 넣을 수도 있다. 일반적으로 이러한 수동소자는 칩 형태의 축전기·저항기 또는 유도자와 같은 부분품이다.
몇 개의 층으로 만들어진 회로기판은 일반적으로 세라믹인데 완전한 조립품을 만들기 위하여 세라믹으로 가열접합시킨 것은 이 류의 주 제8호 나목 (ⅱ)에서 의미하는 회로기판을 성형하는데 필요한 것이다.
하이브리드 집적회로를 형성하는 부품은 거의 나눌 수 없게 결합되어야 한다. 예를 들면, 몇 개의 소자는 이론상으로는 제거하고 대체할 수는 있지만, 이것은 일반적인 제조 조건에서는 비경제적이며 시간이 오래 걸리고 복잡한 일이다.

(Ⅲ) 복합구조칩 집적회로
이것은 어떠한 의도와 목적이든 간에 둘 또는 그 이상의 모노리식 집적회로를 분리불가능하게 연결하여 만들어졌으며, 하나 또는 그 이상의 절연재료 위에 있는지, 리드프레임이 있는지 여부와는 상관없으나 그 외의 능동 및 수동 회로소자는 없어야 한다.
복합구조칩 집적회로의 일반적인 형태는 다음과 같다.
- 두 개 또는 그 이상의 모노리식 집적회로를 나란히 적재한 것
- 두 개 또는 그 이상의 모노리식 집적회로를 위 아래로 적층한 것
- 세 개 또는 그 이상의 모노리식 집적회로로 이루어진 것으로 위의 두 가지 형태를 혼합한 것
이 모노리식 집적회로들은 하나의 몸체로 결합되어 연결되며 봉입 또는 다른 방법으로 패키지될 수 있다. 이들은 어떠한 목적으로든 간에 분리불가능하게 결합되어야 한다. 예를 들면, 몇 개의 소자는 이론상으로는 제거하고 대체할 수는 있지만, 이것은 정상제조 상태하에서는 비경제적이며 시간이 오래 걸리고 복잡한 일이다.
복합구조칩 집적회로의 절연재료는 전기적으로 도체인 부분을 포함할 수 있다. 이러한 부분은 개별 회로소자 이외의 방법으로 수동기능을 제공하기 위해서 특수한 물질로 결합되거나 특수한 모양으로 형성될 수 있다. 절연물 내에 도체인 부분이 있는 경우 이들은 전자집적회로가 연결되어 있는 것과 같은 방법에 전형적으로 의존한다. 이러한 절연체는 bottom-most 칩이나 다이에 위치할 때 "interposer"나 "spacer"로 불릴 수 있다.
모노리식 집적회로는 접착제·와이어본드·플립 칩 기술 등 다양한 방법으로 연결될 수 있다.
이 호에는 수동소자만으로 구성된 막회로는 제외된다(제8534호).
이 호에는 고체상태의 비휘발성 기억장치·스마트카드·기타 음성 및 기타 현상을 기록용매체(제8523호 및 이 류의 주 제4호 참조)는 포함되지 않는다.

하이브리드집적회로 및 복합구조칩 집적회로에 관하여 앞에서 설명한 (ⅱ)와 (ⅲ)에서 규정한 결합방법(실용상 불가분의 상태로 조합한 것)에 의한 것을 제외하고, 이 호에는 다음과 같은 방법으로 만들어진 조립품도 제외한다.

(a) 예를 들면 인쇄회로로 형성된 지지물 위에 하나 이상의 개별부품을 장착한 것

(b) 전자초소형회로 위에 다이오드, 변환기 또는 저항기 등 하나 또는 그 이상의 다른 디바이스를 부가한 것

(c) 개별 부품끼리 결합한 것 또는 복합구조칩 집적회로 이외의 방식으로 초소형회로를 결합한 것

이러한 조립품은 다음과 같이 분류된다.

(ⅰ) 하나의 완성된 기계 또는 기기(혹은 완성품으로서 분류되는 것)를 구성하는 조립품은 해당 기계 또는 기기가 속하는 호에 분류된다.

(ⅱ) 기타의 조립품은 기계의 부분품의 분류에 관한 규정(특히 제16부 주 제2호 나목 및 제2호 다목)에 따라 분류된다.

여기에는 특히, 특정의 전자 메모리 모듈[예: SIMMs (Single In-line Memory Modules)과 DIMMs (Dual In-line Memory Modules)]이 해당된다. 이들 모듈은 제16부 주 제2호를 적용하여 분류한다(이 류 총설 참조).
부분품
부분품의 분류에 관한 일반적 규정(제16부 총설 참조)에 의하여 이 호의 부분품도 이 호에 분류된다.

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