제8486호 반도체 보울(boule)이나 웨이퍼(wafer)·반도체디바이스·전자집적회로·평판디스플레이의 제조에 전용되거나 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제9호다목에서 특정한 기계와 기기, 그 부분품과 부속품

[호해설]
이 호에는 반도체 볼 또는 웨이퍼·반도체디바이스·전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기를 분류한다. 그러나 이 호에는 측정, 검사, 화학분석 등의 기계와 기기는 제외한다(제90류).

(A) 볼 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 다음과 같은 볼 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기를 분류한다.

(1) 대상용융 및 실리콘 봉 정제를 위한 단결정 용융로, 웨이퍼 표면 산화를 위한 산화로 및 웨이퍼에 불순물을 도핑하기 위한 확산로

(2) 단결정성장기 또는 단결정인상장치 : 얇게 절단되어진 웨이퍼 또는 고순도 단결정 반도체 볼을 생산하는 기계

(3) 단결정 연마기 : 웨이퍼에서 요구되는 정밀한 직경으로 단결정 볼을 연마하거나 단결정에서 요구되는 전기전도형태와 저항을 나타내기 위하여 볼을 평평하게 연마하는 기계

(4) 웨이퍼를 얇게 절단하는 톱기계 : 단결정 반도체재료인 볼을 웨이퍼로 얇게 절단하는 기계

(5) 반도체 웨이퍼를 가공가능한 상태로 만들어 주는 웨이퍼 연마기, 랩퍼 및 광택기. 여기에는 웨이퍼의 치수를 허용오차 이내로 만들어 주는 것까지 포함한다. 특히 표면의 편평도는 매우 중요하다.

(6) 화학적인 제거와 기계적인 버프연마가 같이 수행되어 웨어퍼의 평면을 평탄하게 하고 연마하는 기계(CMP)

(B) 반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 반도체 디바이스 또는 전자집적회로를 제조하기 위한 기계 및 기기가 분류된다.
예를 들면 ,

(1) 막 형성 장비 : 이 장비는 웨이퍼 가공 공정에서 웨이퍼 표면에 여러가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성된 디바이스 상에서 도체, 절연체 및 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속 및 에피택셜층의 산화물과 질화물 등을 포함하고 있다. 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다.

(a) 산화로 : 웨이퍼 위에 산화막을 형성한다. 이 산화물은 인가된 산소와 증기로 웨이퍼 최상층 분자층에 화학반응으로 형성된다.

(b) 화학기상증착(CVD) 장비 : 이 장비는 높은 온도의 반응 쳄버내에서 적절한 가스와 결합하여 만들어진 여러가지 형태의 필름을 증착시키는 장치이다. 이 반응은 열화학적 기상 반응으로 이루어져 있다. 이 포함된다. 이러한 반응작용은 상압 또는 저압상태에서 이루어질 수 있고 플라즈마화학증착을 이용할 수도 있다.

(c) 물리기상증착(PVD) 장비 : 어떠한 고체를 기화시킴으로써 얻어지는 다양한 형태의 막을 증작 시킨다, 예를 들면

(ⅰ) 증발증착장비 : 원료물질이 가열되어 막이 생성된다.

(ⅱ) 스퍼터링 장비 : 이온이 있는 원료물질을 포격함으로써 막을 생성한다.

(d) 분자 빔 증착(MBE) 장비 : 이 장비는 초고진공 상태에서 가열된 단결정 기판상에 분자의 빔을 이용하여 에피택시얼 층을 성장시킨다. 이 공정은 물리기상증착 공정과 유사하다.

(2) 도핑 장비 : 반도체 층의 전도성 또는 기타 특성을 변형시키기 위하여 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시키는 장치. 예를 들면 ,

(a) 열 확산 장비 : 장비 내에서 고온 하에서 반응 가스에 의해 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시킨다.

(b) 이온주입기 : 가속된 이온빔의 형태로 웨이퍼 표면의 단결정 격자구조 내로 불순물을 이동시킨다.

(c) 소둔로 : 이온주입에 의해서 손상된 웨이퍼의 단결정 격자 구조를 수리한다.

(3) 식각 및 잔류감광액 박리장비 : 웨이퍼 표면을 식각 및 세척한다. 예를 들면,

(a) 습식 식각 장비 : 장비 내에서 분사 또는 침적 방식에 의해 화학 식각 물질을 반응시킨다. 도포된다. 스프레이 식각기는 한 번에 웨이퍼 하나씩 처리하기 때문에 수조방식의 식각기에 비해 보다 균일한 결과물을 얻을 수 있다.

(b) 건식 플라즈마 식각 : 플라즈마 에너지대역에 가스와 함께 원료물질이 제공되어 이방성식각형태를 띄게 된다. 건식식각기는 몇 가지 다른 방법으로 기체플라즈마를 생성하여 반도체 웨이퍼로부터 박막재료를 제거한다.

(c) 이온 빔 밀링 장비 : 장비 내에서 이온화된 가스 원자가 웨이퍼 표면을 향해 가속되어진다. 이 충돌의 결과로 최상층이 표면으로부터 물리적으로 제거된다.

(d) 잔류 감광액 박리기 또는 굳어진 감광액 박리기 : 식각과 유사한 기술은 사용하는 이 기기는 웨이퍼 표면의 감광액이 도포장치인 스텐실의 역할을 다 한 후, 웨이퍼 표면으로부터 사용된 감광액을 제거한다. 이 장비는 또한 질화물, 산화물 및 다중실리콘 등을 등방성 식각 형태로 제거한다.

(4) 석판인쇄 장비 : 감광액이 도포된 반도체 웨이퍼 표면에 회로모형을 전사하는 기계로 예를 들면 ,

(a) 웨이퍼에 감광액을 도포하는 장비 : 이 장비에는 액상의 감광액을 웨이퍼 표면 전체에 균일하게 감광액을 회전방식으로 도포하는 기계도 포함된다.

(b) 웨이퍼에 도포된 감광액에 회로모형을 노광하는 장비 (또는 그 부분품)

(ⅰ) 마스크나 레티클을 사용하여 감광액을 빛(보통 자외선) 또는 예를 들면 엑스레이 등에 노출시키는 장비

(a) 밀착인화기 : 노광하는 동안 마스크나 레티클은 웨이퍼에 접촉된다.

(b) 근접형 정렬기 : 마스크 또는 레티클과 웨이퍼 사이에 실제적인 밀착이 일어나는 것을 제외하고는 밀착인화기와 유사하다.

(c) 투사형 정렬기 : 끊임없이 위치를 바꾸어 움직이는 슬릿이 마스크와 웨이퍼를 교차하여 노광하기 위하여 투사기술을 사용한다.

(d) 스텝 앤 리피트 얼라이너 : 한번에 하나씩 해당 웨이퍼의 한 부분을 노광하는 투사기술을 사용한다. 마스크에서 웨이퍼에 작은 형태로 복사하는 과정(축사, 縮寫)에서 노광되거나, 동일한 크기로 복사하는 과정에서 노광될 수 있다. 엑시머레이저를 향상시키는 것도 포함한다.

(ⅱ) 웨이퍼에 직접 그리는 장비 : 이 장비는 마스크나 레티클 없이 조작한다. 이들 기기는 감광액이 도포된 웨이퍼상에 직접 회로 모형을 그리는 라이팅 빔[전자빔(E-빔), 이온빔 또는 레이점 빔과 같은]을 제어하는 자동자료처리기계를 사용한다.

(5) 노광된 웨이퍼를 현상하는 장비 : 이 장비는 사진작업실에서 쓰는 것과 유사한 화학용 수조도 포함한다.
이 호에는 다음의 것도 포함한다.

(ⅰ) 감광액으로 웨이퍼 또는 절연기판에 회전방식으로 도포하는 원심분리기

(ⅱ) 절연기판 위에 식각방지용 잉크를 프린팅하는 스크린 프린터

(ⅲ) 웨이퍼를 칩으로 분할하는(절단하는)데 사용하는 레이저로 선을 긋는 기기

(ⅳ) 웨이퍼 절단용 톱기계

(C) 평판 디스플레이 제조용 기계 및 기기
이 그룹에는 평판으로 기판을 제조하는 기기를 포함된다.
그러나 유리 제조용 기기나 인쇄회로 또는 평판상에 기타 전자부품을 조립하는 기기는 포함하지 않는다.
이 그룹에는 평판디스플레이 제조용의 기계 및 기기가 포함된다. 예를 들면,

(1) 식각, 현상, 잔류감광액 박리장비, 세척용의 기기

(2) 회로모형을 투사하거나, 그리거나 도금하는데 사용되는 기기

(3) 원심 회전방식으로 건조하는 기기 및 기타 건조용 기기

(4) 사진용 감광유제를 도포하기 위한 기계(스피너)

(5) 도핑용 이온 주입기

(6) 노(爐), 오븐 및 기타의 확산, 산화, 담금질 및 급속가열용의 장비

(7) 화학기상증착기와 물리기상증착기

(8) 연마기 및 광택기

(9) 절단, 금을 긋거나 직선의 흠을 파내는 기계

(D) 이 류의 주 제9호 다목에서 규정한 기기
이 그룹에는 다음 용도에 전용 또는 주로 사용되는 기기가 포함된다. 예를 들면,

(1) 마스크 및 레티클의 제조 또는 수리용의 기계 [예를 들면, 사진식의 포토마스크 제조용 기기(포토플로터), 마스크와 레티클 수리를 위한 이온 밀링기 등]

(2) 반도체 디바이스 또는 집적회로 조립용 기기, 예를 들면

(a) 레이저 조각기 : 완성된 모놀리식 집적회로 또는 개별 반도체 부품의 플라스틱 케이싱을 조각한다.

(b) 프레스 등 캡슐화 장비 : 칩 주의로 플라스틱 물질을 압착하여 칩이 들어있는 플라스틱의 케이스로 만든다.

(c) 와이어 본더 : 초음파나 전기적인 압력 용접 방식으로 모놀리식 집적회로의 접점에 금선으로 용접하는 기기

(d) 웨이퍼 범핑기기 : 다이형태로 절단하기 이전에 전체 웨이퍼위에 접속단자를 형성한다.

(3) 봉, 웨이퍼, 반도체 디바이스, 전자집적회로 및 평판디스플레이의 권양, 하역, 양하 및 적하용의 기기 (예를 들면, 반도체 웨이퍼, 웨이퍼 카세트, 웨이퍼 박스 및 기타 반도체 디바이스용 원료를 운송, 하역 및 저장하기 위한 자동 원료하역기 등)

(E) 부분품 및 부속품
부분품의 분류에 관한 일반규정(제16부 총설 참조)에 의하여, 이 호에는 이 호에 분류되는 기계 및 기기의 부분품과 부속품을 포함한다. 이에 따라 이 호에 분류되는 부분품과 부속품에는 특히, 이 호의 기계 및 기기에 전용 또는 주로 사용되는 툴홀더 및 기타 특수 부착물 등이 포함된다.

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