제8486호 반도체 보울 또는 웨이퍼·반도체디바이스·전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제9호다목에서 특정한 기계와 기기 및 부분품과 부속품

[호해설]

이 호에는 반도체 보울 또는 웨이퍼ㆍ반도체디바이스ㆍ전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기를 분류한다. 그러나 이 호에는 측정(measuring), 검사(checking, inspecting), 화학분석(chemical analysis) 등의 기계와 기기는 제외한다(제90류).

(A) 보울 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 다음과 같은 보울 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기를 분류한다

(1) 대상용융 및 실리콘 봉 정제를 위한 One-melt 노, 웨이퍼 표면 산화를 위한 산화로 및 웨이퍼에 불순물을 도핑하기 위한 확산로

(2) 절단되어 웨이퍼가 되는 고순도 단결정 반도체 봉 생산용 결정 성장기 또는 풀러

(3) 결정 봉을 웨이퍼로 만들 수 있도록 정확한 직경으로 연마하거나 결정의 전도성 타입 및 저항력을 indicate하기 위하여 봉의 평탄면을 연마하는 결정 그라인더

(4) 반도체 재료 단결정 봉을 웨이퍼로 절단하는 웨이퍼 절단기

(5) 반도체 웨이퍼를 가공가능한 상태로 만들어 주는 웨이퍼 연마기, 랩퍼 및 광택기. 여기에는 웨이퍼의 치수를 허용오차 이내로 만들어 주는 것까지 포함한다. 특히 표면의 편평도는 매우 중요하다.

(6) 화학적인 제거공정과 기계적인 연마공정을 함께 수행하여 웨이퍼를 평평하게 하고 광택을 내는 화학 기계식 광택기(CMP)

(B) 반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 반도체 디바이스 또는 전자집적회로를 제조하기 위한 기계 및 기기가 분류된다. 예를 들면,

(1) 막 형성 장비 : 이 장비는 웨이퍼 가공 공정에서 웨이퍼 표면에 여러 가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성품 위에서 도체, 절연체 및 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속 및 epitaxial 층의 산화물과 질화물 등을 포함하고 있다. 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다.

(a) 산화로 : 웨이퍼 위에 산화막을 형성한다. 이 산화물은 웨이퍼 표면의 최상층 분자층이 주입되는 산소 또는 열스팀과의 화학반응에 의해 형성된 것이다.

(b) 화학기상증착 장비 : 이 장비는 높은 온도의 반응 chamber 내에서 적절한 가스와 결합하여 만들어진 여러 가지 형태의 필름을 증착시키는 장치이다. 이 반응은 열화학적 기상 반응으로 이루어져 있다. 이 포함된다. 이러한 반응작용은 대기압 또는 저압상태에서 이루어질 수 있고 플라스마 강화를 이용할 수도 있다.

(c) 물리기상증착 장비 : 고체를 기체화하여 얻어지는 여러 가지 형태의 막을 증착시키는 장비, 예를 들면

(1) 증발장비 : 원료를 가열하여 막을 생성

(2) 스퍼터링 장비 : 원료(타겟)에 이온을 주사하여 막을 생성

(d) 분자 빔 에피택시 장비 : 이 장비는 극진공 상태에서 가열된 단결정에 분자의 빔을 이용하여 에피택시얼 층을 성장시킨다. 이 공정은 물리기상증착 공정과 유사하다.

(2) 도핑 장비 : 반도체 층의 전도성 또는 기타 성질을 변화시키기 위하여 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시키는 장치. 예를 들면,

(a) 열 확산 장비 : 장비 내에서 고온 하에서 반응 가스에 의해 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시킨다.

(b) 이온주입기 : 장비 내에서 불순물을 가속 이온빔의 형태로 웨이퍼 표면의 격자구조 내로 주입시킨다.

(c) 어닐링 노 : 이온 주입에 의해서 손상된 웨이퍼의 격자 구조를 수리한다.

(3) 식각 및 세척 장비 : 웨이퍼 표면을 식각 및 세척한다. 예를 들면,

(a) 습식 식각 장비 : 장비 내에서 스프레이 또는 침전 방식에 의해 화학 식각 물질이 도포된다. 스프레이 식각기는 한 번에 웨이퍼 하나씩 처리하기 때문에 침전식 식각기에 비해 보다 균일한 결과물을 얻을 수 있다.

(b) 건식 플라즈마 식각 : 장비 내에서 이방성 식각 프로파일을 제공하여 식각 물질이 플라즈마 에너지 대역의 가스 상태로 만들어진다. 건식 식각기는 몇 가지 상이한 방법을 이용하여 반도체 웨이퍼로부터 박막 물질의 제거하는 기체 플라스마를 생성한다.

(c) 이온 빔 밀링 장비 : 장비 내에서 이온화한 가스 원자가 웨이퍼 표면 방향으로 가속되어 부딪친다. 이 충격으로 인해 표면의 최상층이 물리적으로 제거된다.

(d) 세척기 또는 asher : 웨이퍼 표면의 포토레지스트가 당초 목적대로 원지로서의 역할을 다 하면 이 장비는 식각과 유사한 기법을 사용하여 사용된 포토레지스트를 제거한다. 이 장비는 또한 질화물, 산화물 및 다중실리콘 등을 등방성 식각 프로파일로 제거한다.

(4) 석판인쇄 장비 : 회로의 디자인을 포토레지스트가 도포된 반도체 웨이퍼의 표면에 전사하는 장비이다. 예를 들면,

(a) 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하는 장비 : 이 장비에는 액상의 포토레지스트를 웨이퍼 표면에 균등하게 발라 주는 포토레지스트 스피너도 포함된다.

(b) 웨이퍼에 도포된 포토레지스트에 회로 디자인을 노출하는 장비 (또는 그 부분품)

(ⅰ) 마스크나 레티클을 사용하여 포토레지스트를 빛(통상적으로 자외선) 또는 예컨대 X-ray 등에 노출시키는 장비

(a) 접촉식 프린터 : 노광 공정 동안 마스크나 레티클이 웨이퍼에 접촉되는 기기

(b) 프록시미티 얼라이너 : 마스크와 웨이퍼 사이에 실제적인 접촉이 일어나지 않는 것 외에는 콘택트 프린터와 유사하다.

(c) 스캐닝 얼라이너 : 마스크와 웨이퍼를 가로질러 계속적으로 움직이는 slit을 노출하기 위하여 투영 기술을 사용한다.

(d) 스텝 앤 리피트 얼라이너 : 한 번에 한 부분씩 웨이퍼를 노출하는 투영기술을 사용한다. 레티클에서 웨이퍼로 축소하거나 1:1의 비율로 노출한다. 엑사이머 레이저를 이용하는 것도 포함한다.

(ⅱ) 웨이퍼에 직접 그리는 장비 : 이 장비는 마스크나 레티클 없이 작업한다. 이들 기기는 자동자료처리리기계에 의해 조종되는 웨이퍼의 표면에 도포된 포토레지스트에 직접 회로 모형을 그리는 writing beam(전자 빔(E-beam), 이온 빔 또는 레이저 같은 것)을 이용한다.

(5) 노출된 웨이퍼를 현상하기 위한 장비 : 이 장비는 사진작업실에서 쓰는 것과 유사한 화학용 통도 포함한다.

이 호에는 다음의 것도 포함한다.

(ⅰ) 포토레지스트를 웨이퍼 또는 절연기판 위에 스핀 코팅하는 원심분리기

(ⅱ) 절연기판 위에 식각방지용 잉크를 프린팅하는 스크린 프린터

(ⅲ) 웨이퍼를 chip으로 분할하는(절단하는) 레이저 스크라이빙기

(ⅳ) 웨이퍼 절단용 기기

(C) 평판 디스틀레이 제조용 기계 및 기기
이 그룹에는 기판을 평판으로 제조하는 기기를 포함된다. 그러나 유리 제조용 기기나 인쇄회로 또는 기타 전자부품을 평판 위에 조립하는 기기는 포함되지 않는다.
이 그룹에는 평판디스플레이 제조용의 기계 및 기기가 포함된다. 예를 들면,

(1) 식각, 현상, 스티리핑, 세척용의 기기

(2) 회로모형의 투영, 드로잉 및 플레이팅용 기기

(3) 원심 스핀드라이어 및 기타 건조용 기기

(4) 사진용 감광유제를 도포하기 위한 기계(스피너)

(5) 도핑용 이온 주입기

(6) 노(爐), 오븐 및 기타의 확산, 산화, 담금질 및 급속가열용 의 장비

(7) 화학기상증착기와 물리기상증착기

(8) 연마기 및 광택기

(9) 절단, scribing 및 scoring용의 기계

(D) 이 류의 주9 다에서 규정한 기기
이 그룹에는 다음 용도에 전용 또는 주로 사용되는 기기가 포함된다. 예를 들면,

(1) 마스크 및 레티클의 제조 또는 수리용의 기계 [예를 들면, 사진식의 포토마스크 제조용 기기(포토플로터), 마스크와 레티클 수리를 위한 이온 밀링기 등]

(2) 반도체 디바이스 또는 집적회로 조립용 기기, 예를 들면

(a) 레이저 조각기 : 완성된 모노리딕 집적회로 또는 개별 반도체 부품의 플라스틱 케이싱을 조각한다.

(b) 프레스 등 봉인용 장비 : 칩 주위로 플라스틱 물질을 압착하여 chip이 들어있는 플라스틱의 케이스로 만든다.

(c) 와이어 접착기 : 초음파나 전기적인 압력 납땜 방식으로 모노리딕 집적회로의 접접에 금선을 납땜한다.

(d) 웨이퍼 범핑용 기기 : 웨이퍼의 절단 이전에 전체 웨이퍼에 연결접점을 형성한다.

(3) 봉, 웨이퍼, 반도체 디바이스, 전자집적회로 및 평판디스틀레이의 권양, 하역, 양하 및 적하용의 기기 (예를 들면, 반도체 웨이퍼, 웨이퍼 카세트, 웨이퍼 박스 및 기타 반도체 디바이스용 원료를 운송, 하역 및 저장하기 위한 자동 원료하역기 등)

(E) 부분품 및 부속품
부분품의 분류에 관한 일반규정(제16부 주 총설 참조)에 의하여, 이 호에는 이 호에 분류되는 기계 및 기기의 부분품과 부속품을 포함한다. 이에 따라 이 호에 분류되는 부분품과 부속품에는 특히, 이 호의 기계 및 기기에 전용 또는 주로 사용되는 툴 호울더 및 기타 특수 부착물 등이 포함된다.

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