레이저 분리기 또는 레이저 접합기
발광다이오드(LED) 칩 또는 반도체 연구용으로서 다음 각 호의 어느 하나에 해당하는 것으로 한정한다.
1. 웨이퍼(Wafer)와 증착막(蒸着膜)을 레이저를 이용하여 분리할 수 있는 것
2. 박막(薄膜)이 형성된 웨이퍼와 웨이퍼를 압력방식으로 접합할 수 있는 것
집속(集束) 이온빔장치(Focused Ion Beam System or Dual Beam FIB System) 또는 이온빔장치(Ion Beam System)
다음 각 호의 어느 하나에 해당하는 것으로 한정한다.
1. 이온빔(Ion Beam)을 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 시편을 가공할 수 있는 것
2. 가속전압 1킬로볼트(kv) 이상 40킬로볼트(kv) 이하 범위의 아르곤 이온(Ar Ion) 건(Gun) 또는 갈륨 이온(Ga Ion) 건(Gun)을 장착한 것
3. 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope) 또는 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope) 분석을 위한 박편(薄片) 및 단면 시료 제작이 가능한 것
8456-30
8461-50
8462-41
8464-10, 90
8479-89
8486-20, 40
8539-90
9027-90
절단기, 클리빙기(Cleaving Machine), 마이크로톰(Microtome), 금속 정밀 절단기 또는 와이어 커팅기
다음 각 호의 어느 하나에 해당하는 것으로 한정한다.
1. 웨이퍼(Wafer), 시편(試片), 2차전지용 전해질 필름, 완성반도체(한 개의 기판에 봉합된 다수의 반도체를 포함한다) 또는 반도체 반제품을 절단하거나 클리브(Cleave)할 수 있는 것
2. 유리기판(Glass) 테두리에 돌출된 충전재(充塡材)와 백시트(Back Sheet)를 나이프(Knife)로 제거하는 것
3. 박막 칩의 적층에 필수적인 다이부착필름(DAF, Die Attach Film)를 스크라이빙(Scribing) 또는 분할할 수 있는 것
4. 웨이퍼 또는 다이부착필름(DAF, Die Attach Film)을 절단 또는 그루빙(Grooving) 할 수 있는 것
5. 전자현미경 분석을 위한 시편절단장치로서 절삭, 절단, 연마, 연삭 또는 박편(薄片)화 작업의 수행이 가능한 것
6. 와이어 이송 속도(Wire Feed Speed)가 최대 초당 400밀리미터(mm) 이상인 것
7. 다이아몬드 휠, 레이저 또는 회전날 이용방식인 것
8. 유리(Glass)를 직선, 원형 및 선형으로 절단할 수 있는 것으로서 최대 절단속도가 분당 20미터(m) 이상인 것
세척기 또는 세정기
웨이퍼, 시편, 마스크, 마스크 용기, 레티클(Reticle), 레티클 용기, 반도체, 유기발광다이오드기판, 절삭공구류 표면의 산화막, 유기물, 웨이퍼 카셋트(Wafer Cassette), 웨이퍼 프레임(Wafer Frame) 또는 인쇄회로기판을 화공약품, 초음파, 플라즈마, 자외선, 깨끗한 물(純水), 스프레이, 반응가스(Ar, O2, H2) 또는 증기를 이용하여 세척할 수 있는 것으로 한정한다.
머시닝센터(Machining Center) 또는 터닝머신
다음 각 호의 어느 하나에 해당하는 것으로 한정한다.
1. 자동차부품 제조용으로서 특수정밀 앵귤러 콘택트 베어링(Angular Contact Bearing)을 채용한 주축과 슬라이드 유닛을 근접거리에 설정 가능하고, 패턴프로그램이 자동적으로 모서리를 깍는(chamfer) 것(워크스토커 및 로딩·언로딩 장치를 포함한다)
2. 선반 및 밀링을 융합한 복합가공 기능이 있는 것
3. 복합머시닝센터로서 머시닝, 선삭 및 연삭 등 3개의 기능을 융합한 복합가공 기능이 있는 것
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