| 내 용 |
[주 문]
심판청구를 기각한다.
[이 유]
1. 처분개요
가. 청구법인은 2008.10.21. 처분청으로부터 보세건설장 특허(특허기간 : 2008.10.21.~2009.2.20.)를 받은 후 2008.11.25. 수입신고번호 41682-08-700092U호로Micro Blast(이하 "쟁점물품"이라 한다)를 보세건설장에 반입하여 수입하면서 관세·통계통합품목분류표(이하 "HSK"라 한다)상 '고유의 기능을 가진 기타 기계류'가 분류되는 HSK 8479.89-9099호(기본관세율8%)로 수입신고하고, 2009.2.20. 보세건설장 1기설비 완료보고를 하면서 처분청으로부터 수리를 받았다.
나. 청구법인은 쟁점물품이 '반도체 웨이퍼상에 막을 형성하거나 금속을 증착하는 기계'에 해당하므로 HSK 8486.20-4000호(양허관세율0%)에 분류된다고 하여 2011.2.18.관세 69,784,800원, 농어촌특별세 13,956,960원, 합계 83,741,760원을 감액경정하여 줄 것을 처분청에 청구하였고, 처분청은 2011.3.7. 이를 거부하였다.
다. 청구법인은 이에 불복하여 2011.4.13. 심판청구를 제기하였다.
2. 청구법인 주장 및 처분청 의견
가. 청구법인 주장
쟁점물품은 관세율표 제8541호에 분류되는 박막 태양전지(감광성 반도체 디바이스)를 제조하는 장비로서, 가공대상 물품이 단순한 유리기판이 아니라 저철분 Glass에 TCO(Transparent Conductive oxide, 이하 "TCO"라 한다) 박막[SnO2:F로 이루어진 p-Type 반도체 물질인 투명전도막(투명전극)]이 형성(증착)된 반도체 웨이퍼에 해당되고, 박막 태양전지 유리 기판 TCO Glass를 이용하여 제조·가공하는 장비는 제8486.20호를 적용하여야 하며, 쟁점물품은 증착된 태양전지 Glass wafer상에 발생된 이물질을 제품의 물리적·화학적 특성을 향상시키기 위해 세정하는 장비이므로, 반도체 디바이스를 가공하는 기계가 분류되는 제8486.20호에 분류되어야 한다.
한편, 반도체 제조장비를 규정하고 있는 관세율표 제84류 주9 가목에서 제85류의 주8 가목 및 나목의 "반도체 디바이스"와 "전자집적회로"의 표현은 이 주 및 제8486호에서도 사용된다고 규정하고 있으며, 관세율표 제8486.20호에는 반도체 디바이스 제조용의 기기가 분류되고 있으므로 처분청의 경정거부 처분은 잘못된 처분이다.
나. 처분청 의견
관세율표 제8486.10호·제8486.20호·제8486.40호는 전단계 공정에서 만들어진 재료로 해당 소호의 용어에 정하는 물품을 만드는 공정이므로, 제8486호의 용어 및 반도체 공정을 통틀어 유리기판에 TCO 산화물 박막을 형성하는 공정은 제8486호 어느 호에도 분류될 수 없으며, 이를 가공대상으로 하는 쟁점물품도 제8486.20호에 분류될 수 없다.
한편, 쟁점물품은 최초에 TCO Glass의 가공 전·후 불순물을 제거하는 것으로 가공대상물이 반도체의 재료적 특성이 없는 부도체인 유리기판에 TCO 산화물 박막을 형성한 유리이므로 제8486호에 분류될 수 없다.
따라서, 부도체인 유리기판에 TCO 산화물 박막 등을 증착하고 가공하는 공정은 관세율표 제8541호의 해설서 및 제8486호의 용어 및 반도체 공정을 통틀어 반도체의 특성을 부여하는 제8486호 어느 호의 공정에도 해당되지 않아 이를 가공대상으로 하는 쟁점물품은 제8486호 적용을 배제하고,'고유의 기능을 가진 기타 기계류'인 HSK8479.89-9099호(기본관세율 8%)에분류되어야 한다.
3. 심리 및 판단
가. 쟁점
쟁점물품을 '반도체 웨이퍼상에 막을 형성하거나 금속을 증착하는 기계'로 보아 HSK8486.20-4000호(양허관세율 0%)에 분류하여야 하는지, 아니면 '고유의 기능을 가진 기타 기계류'가분류되는HSK 8479.89-9099호(기본관세율 8%)에 분류하여야 하는지여부
나. 관련법령 등
(1) 관세·통계통합품목분류표의 해석에 관한 통칙
이 표의 품목분류는 다음의 원칙에 의한다.
1. 이 표의 부, 류 및 절의 표제는 오로지 참조를 위하여 규정한 것이며, 법적인 목적상의 품목분류는 각 호의 용어 및 관련 부 또는 류의 주에 의하여 결정하되, 이러한 각 호 또는 주에서 따로 정하지 아니한 경우에는 이 통칙 제2호 내지 제7호에서 규정하는 바에 따른다.
2. (생 략)
3. 이 통칙 제2호 나목 또는 그 밖의 다른 이유로 동일한 물품이 둘 이상의 호에 분류되는 것으로 볼 수 있는 물품인 경우의 품목분류는 다음에 규정하는 바에 따른다.
가. 가장 협의로 표현된 호가 일반적으로 표현된 호에 우선한다. (이하 생략)
나. (생 략)
다. 가목 또는 나목에 따라 분류할 수 없는 물품은 동일하게 분류가 가능한 호 중에서 그 순서상 최종 호에 분류한다.
4.·5. (생 략)
6. 법적인 목적상 어느 호 중 소호의 품목분류는 동일한 수준의 소호들만을 서로 비교할 수 있다는 점을 조건으로 그 소호의 용어와 관련 소호의 주에 따라 결정되며, 상기 제 통칙을 준용한다. 또한 이 통칙에서 문맥상 달리 규정한 경우를 제외하고 관련 부 및 류의 주도 적용한다.
7. 이 표에 규정되지 아니한 품목분류에 관한 사항은 통일상품명 및 부호체계에 관한 국제협약에 따른다.
(2) 관세율표
8486.20-4000 반도체 웨이퍼상에 막을 형성하거나 금속을 증 착하는 기계 양허 0%
8479.89-9099 고유의 기능을 가진 기타 기계류 기본 8%
8486.40-2039 반도체 디바이스 제조용 기계와 기기 양허 0%
(가) 관세율표 제84류 주2
16부의 주 제3호 또는 이 류의 주 제9호에 따라 적용될 호가 정하여지는 경우를 제외하고는, 제8401호 내지 제8424호 및 제8486호에 하나 또는 더 이상의 호에 해당하는 기기가 동시에 제8425호 내지 제8480호의 하나 또는 다른 호에도 해당되는 경우, 이 기기는 제8401호 내지 제8424호의 적합한 호에 분류하거나 또는 경우에 따라 제8486호에 분류하고, 제8425호 내지 제8480호에는 분류하지 아니한다.
다만, 제8419호에서는 다음의 것을 제외한다. (이하 생략)
(나) 관세율표 제84류 주9
가.제85류의 주 제8호 가목과 나목의 "반도체 디바이스"와 "전자집적회로"의 표현은 이 주 및 제8486호에서도 적용된다. 다만, 이 주 및 제8486호의 목적에 따라 "반도체 디바이스"는 OO를 포함한다.
나. 이 주 및 제8486호의 목적상 "평판디스플레이의 제조"는 기판을 평판으로 제조하는 것을 포함한다. 평판디스플레이의 제조는 유리제조 또는 평판상에 인쇄회로기판의 조립 또는 기타 전자소자 조립은 포함하지 아니한다. "평판디스플레이"는 음극선관 기술을 포함하지 아니한다.
다. 제8486호에는 다음의 것에 전용 또는 주로 사용되는 기계를 분류한다.
(1)마스크 및 레티클의 제조 및 수리
(2)반도체 디바이스 또는 전자집적회로의 조립과
(3)보울, 웨이퍼, 반도체 디바이스, 전자직접회로와 평판디스플레이의 권양, 하역, 적하 또는 양하
라. 제16부의 주 제1호와 제84류의 주 제1호의 규정에 따라 적용될 호가 정하여지는 경우를 제외하고,제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이 표의 다른 호에 적합한 기계 또는 기기는 이 표의 다른 호에 분류하지 아니하며, 제8486호에 분류한다.
(다) 관세율표제85류 주8
제8541호 및 제8542호에서
가. "다이오드·트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스"라 함은 전계의 작용에 따른 저항의 변화로 작용을 하는 반도체 디바이스를 말한다.
나. "전자집적회로와 초소형 조립회로"라 함은 다음의 물품을 말한다.
(1) 모노리식 집적회로 : 회로소자(다이오드·트랜지스터·저항기·축전기·상호접속자 등)가 반도체재료(예 : 도프된 실리콘)의 내부 또는 표면에 한덩어리 상태로 집적(集積)되어 있으며, 분리가 불가능하도록 결합된 회로
(2) 하이브리드 집적회로 : 박막기술 또는 후막기술에 의하여 만들어진 수동소자(저항기·축전기·인덕턴스 등)와 반도체 기술에 의하여 만들어진 능동소자(다이오드·트랜지스터·모노리디크 집적회로 등)를 절연재료(유리·도자재 등)로 된 하나의 기판위에 상호접속자 또는 상호접속 케이블에 의해 실용상 분리가 불가능하도록 결합된 회로를 말하며, 이 회로에는 개별부품을 부착시킨 것도 포함된다.
(3) 다중칩 집적회로 : 둘 또는 그 이상의 상호연결된 모노리식 집적회로로 구성되고, 실용상 분리가 불가능하도록 결함된 회로를 말하며, 하나 또는 그 이상의 절연기관위에 결합되었는지의 여부와 리드프레임이 장착되었는지의 여부는 불문한다. 그러나 기타 다른 능동 또는 수동소자가 장착된 것은 제외한다.
이 주에서 규정한 물품을 분류함에 있어서 제8523호의 경우를 제외하고, 제8541호 또는 제8542호는, 특히 그 기능으로 보아 당해 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호에도 우선한다.
(3) 관세율표 해설서
(가)제84류 총설
(B) 제84류의 일반적인 구성
(7) 제8486호에는 반도체 보울 또는 웨이퍼, 반도체 디바이스, 전자 집적회로 또는 평판 디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계 및 기기와 이 류의 주 제9호 다목에 규정한 기계 및 기기를 분류한다.
제85류의 주8 가목과 나목의 "반도체 디바이스"와 "전자집적회로"의 표현은 이 주 및 제8486호에서도 적용된다. 다만 이 주 및 제8486호의 목적에 따라 "반도체 디바이스"는 OO를 포함한다.
(나)제8486호의 호 및 소호 해설
반도체 보울 또는 웨이퍼·반도체 디바이스·전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제9호 다목에서 특정한 기계와 기기 및 부분품과 부속품
8486 - 반도체 보울 또는 웨이퍼·반도체 디바이스·전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류 주9 다에서 특정한 기계와 기기 및 부분품과 부속품
8486.10 - 반도체 보울 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기
8486.20 - 반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기
8486.40- 이 류 주9 다목에서 특정한 기계와 기기
이 호에는 반도체 보울 또는 웨이퍼·반도체 디바이스·전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기를 분류한다. 그러나 이 호에는 측정(measuring), 검사(checking, inspecting), 화학분석(chemical analysis) 등의 기계와 기기는 제외한다(제90류).
(A) 보울 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 다음과 같은 보울 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기를 분류한다.
(1) 대상용융 및 실리콘 봉 정제를 위한 One-melt 노, 웨이퍼표면 산화를 위한 산화로 및 웨이퍼에 불순물을 도핑하기 위한 확산로
(2)절단되어 웨이퍼가 되는 고순도 단결정 반도체 봉 생산용 결정 성장기 또는 풀러
(3) 결정 봉을 웨이퍼로 만들 수 있도록 정확한 직경으로 연마하거나 결정의전도성 타입 및 저항력을 indicate하기 위하여 봉의 평탄면을 연마하는 결정 그라인더
(4) 반도체 재료 단결정 봉을 웨이퍼로 절단하는 웨이퍼 절단기
(5) 반도체 웨이퍼를 가공가능한 상태로 만들어 주는 웨이퍼 연마기, 랩퍼 및 광택기. 여기에는 웨이퍼의 치수를 허용오차 이내로 만들어 주는 것까지 포함한다. 특히 표면의 편평도는 매우 중요하다.
(6)화학적인 제거공정과 기계적인 연마공정을 함께 수행하여 웨이퍼를 평평하게 하고 광택을 내는 화학 기계식 광택기(CMP)
(B) 반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기
이 그룹에는 반도체 디바이스 또는 전자집적회로를 제조하기 위한 기계 및 기기가 분류된다. 예를 들면,
(3) 식각 및 세척 장비 : 웨이퍼 표면을 식각 및 세척한다. 예를 들면,
(a) 습식 식각 장비
장비 내에서 스프레이 또는 침전 방식에 의해 화학 식각 물질이 도포된다. 스프레이 식각기는 한 번에 웨이퍼 하나씩 처리하기 때문에 침전식 식각기에 비해 보다 균일한 결과물을 얻을 수 있다.
(b) 건식 플라즈마 식각
장비 내에서 이방성 식각 프로파일을 제공하여 식각 물질이 플라즈마 에너지 대역의 가스 상태로 만들어진다. 건식 식각기는 몇 가지 상이한 방법을 이용하여 반도체 웨이퍼로부터 박막 물질의 제거하는 기체 플라스마를 생성한다.
(c) 이온 빔 밀링 장비
장비 내에서 이온화한 가스 원자가 웨이퍼 표면 방향으로 가속되어 부딪친다. 이 충격으로 인해 표면의 최상층이 물리적으로 제거된다.
(d) 세척기
웨이퍼 표면의 포토레지스트가 당초 목적대로 원지로서의 역할을 다하면 이 장비는 식각과 유사한 기법을 사용하여 사용된 포토레지스트를 제거한다. 이 장비는 또한 질화물, 산화물 및 다중실리콘 등을 등방성 식각 프로파일로 제거한다.
(나)제8541호 해설
85.41 - 다이오드·트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스,감광성 반도체 디바이스(모듀울 또는 패널에 조립되었는지의 여부를 불문하며광전지를 포함한다), 발광다이오드 및 장착된 압전기 결정소자(＋)
8541.40 - 감광성 반도체 디바이스(모듀울 또는 패널에 조립되었는지의 여부를 불문하고광전지를 포한한다) 및 발광다이오드
(B)감광성 반도체 디바이스
이 그룹에는 가시광선, 적외선 또는 자외선의 작용이 내부 광전효과에 의해 저항을 변경하거나 기전력(起電力)을 발생하는 감광성반도체 디바이스가 포함된다.
광전관(혹은 Photoemissive Cells)은 그 작용이 외부 광전효과(Photoemission)에 기초를 두므로 제8540호에 속한다.
감광성 반도체 디바이스의 주요 형태는 다음과 같다.
(2) 광전지 : 이는 외부 전원을 요하지 않고 빛을 직접 전기적 에너지로 변환시키는 것이다. 셀레늄을 기재로 한 광전지는 주로 조도계와 노출계에 사용되며, 실리콘을 기재로한 광전지는 고도의 출력을 가져특히 제어 또는 조절장치에 사용되며, 광섬유 등을 사용하는 통신장치에 있어서는 빛의 임펄스(impulse)를 검출하기 위한 것이다.
광전지의 특수한 종류는 다음과 같다.
(ⅰ)태양전지: 이는 태양광선을 직접 전기적 에너지로 변환시키는 실리콘 광전지이다.이들은 통상 집합하여 로케트와 우주탐사용 위성이나 산악구조용 송신기 등의 전원으로 사용된다.
이 호는 또한 모듀울로 조립되었거나 또는 패널로 제작되었는지의 여부를 불문하고 태양전지를 포함한다. 그러나 이 호에는 동력을 전동기·전해조에 직접 공급하는 것과 같은 단순(예를 들면 전류의 방향을 제어하기 위한 다이오드)한 소자를 부착한 패널 또는 모듀울을 제외한다(제8501호).
감광성 반도체 디바이스는 장착[예 : 터미널 또는 도선(導線)으로]하였거나 포장하거나 또는 장착하지 않고 제시되었는지의 여부를 불문하고 이 호에 분류된다.
다. 사실관계 및 판단
(1) 청구법인은 태양전지 제조업체로서 2008.10.21. 처분청으로부터 보세건설장 특허(특허기간 : 2008.10.21.~2009.2.20.)를 받은 후 2008.11.25. 수입신고번호 41682-08-700092U호로 쟁점물품을 보세건설장에 반입하여 수입하면서 '레이저 또는 기타 광선·광자빔 방식으로 재료의 일부를 제거하여 가공하는 공작기계'가 분류되는 HSK 8456.10-3000호(기본관세율 8%)로 수입신고하고, 2009.2.20. 보세건설장 1기설비 완료보고를 하면서 처분청으로부터 당초 보세건설장에 반입하여 사용신고된 쟁점물품의 세번·세율을 적용하여 그대로 수리를 받았다.
(2) 쟁점물품은 태양전지 제조공정에서Glass 표면의 각종 박막에서 누설전류가 발생하지 않도록 외곽부에 알루미나 파우더를 고압으로 분사하여 일정한 간격으로 스트리핑 하는 장비이다.
(3) 관세율표 제84류 주9 가목에서는 "제85류의 주8 가목과 나목의 '반도체 디바이스'와 '전자집적회로'의 표현은 이 주 및 제8486호에서도 적용된다. 다만, 이 주 및 제8486호의 목적에 따라 '반도체 디바이스'는 OO를 포함한다"라고 규정하고 있다.
(4) 관세율표 해설서 제8486호에는 "반도체(Semiconductor) 보올 또는 웨이퍼, 반도체 디바이스, 전자집적회로 제조용 기계와 기기"가 분류된다고 하고 있고, 제8541호에서는 태양전지를 태양광선을 직접 전기적 에너지로 변환시키는 실리콘 광전지로서 감광성 반도체 디바이스로 해설하고 있다.
(5) TCO 박막공정은 빛의 투과성이 높으면서 전기가 통하는 성질을 가지는 얇은 박막공정으로, 동 공정은 태양전지 및 반도체 제조과정에만 전용되는 기술이 아니라 액정 표시소자의 투명전극, 항공기와 자동차유리의 투명 발열체 및 정밀기계의 정전기 방지 유리·열차단 박막·저반사 유리·디스플레이 패널 등의 제조과정에서 다양하게 사용되고 있다.
(6) 반도체에 사용하는 웨이퍼와 태양전지 웨이퍼는 다음 <표>와 같이 두께를 비롯한 농도 등의 차이가 있다.
<표> 반도체에 사용하는 웨이퍼와 태양전지 웨이퍼 비교
구분 외관(두께) 농도 결함농도
반도체용 600~650㎛ 0.01Ω㎝~수천Ω㎝ 0.01Ω㎝~수천Ω㎝
태양전지용 200~230㎛ 0.01Ω㎝ 이하 무관
(7) 살피건대, 관세·통계통합품목분류표의 해석에 관한 통칙 제1호에서 법적인 목적의 품목분류는 각 호의 용어 및 그와 관련된 부·류의 주에 의하여 결정하도록 하고 있는 점, 관세율표 해설서에서 제8486호에는 "반도체(Semiconductor) 보올 또는 웨이퍼, 반도체 디바이스, 전자집적회로 제조용 기계와 기기"가 분류된다고 하고 있는 점, TCO 박막공정은 빛의 투과성이 높으면서 전기가 통하는 성질을 가지는 얇은 박막공정으로, 동 공정은 태양전지 및 반도체 제조공정에만 전용되는 기술이 아닌 점, 쟁점물품은 태양전지 제조공정에서Glass 표면의 각종 박막에서 누설전류가 발생하지 않도록 외곽부에 알루미나 파우더를 고압으로 분사하여 일정한 간격으로 스트리핑 하는 장비이며,대상물이 반도체의 재료적 특성이 없는 부도체인 유리기판에 TCO 산화물 박막을 형성한 유리인 점, 청구법인은 태양전지 제조업체이고, 반도체에 사용하는 웨이퍼와 태양전지 웨이퍼는 두께 및 농도 등의 차이가 있는 점 등으로 미루어 볼 때, 쟁점물품을 반도체 웨이퍼상에 막을 형성하거나 금속을 증착하는 기계로 보기 어려우므로,처분청이쟁점물품을'고유의 기능을 가진 기타 기계류'가 분류되는 HSK 8479.89-9099호(기본관세율 8%)에 해당하는 물품으로 보아 청구법인의 경정청구를 거부한처분은 잘못이 없다고 판단된다.
4. 결론
이 건 심판청구는 심리결과 청구주장이 이유 없으므로 「관세법」 제131조와 「국세기본법」 제81조 및 제65조 제1항 제2호에 의하여 주문과 같이 결정한다. |
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