Àü¿¡ ¹®ÀÇ µå·È´Âµ¥ ¹°Ç° ¼³¸íÀÌ ºÎÁ·ÇÏ´Ù°í Çϼż ´Ù½Ã ¿Ã¸³´Ï´Ù. ¹°Ç°¸íÀº IGZO TARGETÀÔ´Ï´Ù. TFT ¹Ú¸·Á¦Á¶½Ã¿¡ »ç¿ëµÇ´Â °ÍÀ¸·Î ǰ¸ñºÐ·ù °áÁ¤»ç·ÊÀÇ ITO TARGET°ú µ¿ÀÏ ¿ëµµ¿Í ºñ½ÁÇÑ ¹°Ç°À¸·Î¼ ±¸¼º¼ººÐÀÌ Á¶±Ý ´Ù¸¥ ½Å¼ÒÀçÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ±Ý¼Ó»êȹ°ÀÔ´Ï´Ù. ITO TARGET°ú °°Àº ¼¼¹øÀÎ 3824.90-9090À¸·Î °¡µµ µÇ´ÂÁö ¿©ºÎ°¡ ±Ã±ÝÇÕ´Ï´Ù. ¾Æ´Ï¶ó¸é ¾î´ÀÂÊÀÎÁö ¹Ù»Ú½Ã°ÚÁö¸¸ ºÎʵ右´Ï´Ù.
¡à IGZO ¶õ? IGZO Àº Indium °ú Gallium, Zinc, Oxide(1:1:1:3) ÀÇ ÈÇÕ¹°·Î, »êȹ° active layer¸¦ °¡Áö´Â TFT ¿¡ ÁÖ·Î »ç¿ëµÇ´Â, Åõ¸í »êȹ° ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ÀÏÁ¾ÀÌ´Ù. Åõ¸í »êȹ° ¹ÝµµÃ¼´Â Ư¼º»ó Å« ¹êµå°¸À» Áö´Ï¸é¼ ij¸®¾îÀ̵¿µµ°¡ ÁÁ±â ¶§¹®¿¡, °¡½Ã±¤¼± ¿µ¿ª¿¡¼µµ Åõ¸íÇÑ Æ¯¼ºÀ» °¡Áö°í ÀÖ´Ù.
¡à IGZO ÀÇ Æ¯¼º IGZO ´Â Zinc-Oxide ÈÇÕ¹°¿¡ Indium °ú GalliumÀ» doping ÇÑ ÇüÅÂÀÇ ÈÇÕ¹°·Î, hexagonal °áÁ¤±¸Á¶ÀÇ ÀÏÁ¾ÀÎ wurtzite °áÁ¤±¸Á¶¸¦ °¡Áö°í ÀÖ´Ù.
ZnO ÈÇÕ¹°Àº ÀÇ·á±â±â³ª ÈÇÐÁ¶¹Ì·á µî ¸¹Àº ºÐ¾ß¿¡¼ Ȱ¿ëµÇÁö¸¸, ¹ÝµµÃ¼ºÐ¾ß¿¡¼ ¿ª½Ã Áß¿äÇÑ ¿ªÇÒÀ» Çϰí ÀÖ´Ù. 3.37eV ÀÇ ¹êµå°¸À» °¡Áö°í ÀÖÀ¸¸ç, LED(Light Emitting Diode)¿¡¼ °¡Àå ¸¹ÀÌ »ç¿ëÇϰí Àִµ¥, ºÒ¼ø¹° ÷°¡¿¡ µû¶ó TCO ·Î ¾²ÀÏ ¼ö ÀÖ°í ÇöÀç ¸¹Àº ÷°¡¹°À» ¿¬±¸Áß¿¡ ÀÖ´Ù. doping ¿¡´Â n-type doping °ú p-type doping ÀÌ Àִµ¥, n-type doping ¿¡´Â ¾Ë·ç¹Ì´½À̳ª Àεã, ±×¸®°í ´õ ¸¹Àº ¾Æ¿¬ µîÀÌ Ã·°¡µÉ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ÇöÀç thin film technology ¿¡ ÀÌ¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. |
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