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¼¼¹ø¹®ÀÇ µå¸³´Ï´Ù.
Àü¿¡ ¹®ÀÇ µå·È´Âµ¥ ¹°Ç° ¼³¸íÀÌ ºÎÁ·ÇÏ´Ù°í Çϼż­ ´Ù½Ã ¿Ã¸³´Ï´Ù.
¹°Ç°¸íÀº IGZO TARGETÀÔ´Ï´Ù.
TFT ¹Ú¸·Á¦Á¶½Ã¿¡ »ç¿ëµÇ´Â °ÍÀ¸·Î ǰ¸ñºÐ·ù °áÁ¤»ç·ÊÀÇ ITO TARGET°ú µ¿ÀÏ ¿ëµµ¿Í ºñ½ÁÇÑ ¹°Ç°À¸·Î¼­ ±¸¼º¼ººÐÀÌ Á¶±Ý ´Ù¸¥ ½Å¼ÒÀçÀÇ  ¹ÝµµÃ¼ ±Ý¼Ó»êÈ­¹°ÀÔ´Ï´Ù.
ITO TARGET°ú °°Àº ¼¼¹øÀÎ 3824.90-9090À¸·Î °¡µµ µÇ´ÂÁö ¿©ºÎ°¡ ±Ã±ÝÇÕ´Ï´Ù. ¾Æ´Ï¶ó¸é ¾î´ÀÂÊÀÎÁö ¹Ù»Ú½Ã°ÚÁö¸¸ ºÎʵ右´Ï´Ù.

¡à IGZO ¶õ?
IGZO Àº Indium °ú Gallium, Zinc, Oxide(1:1:1:3) ÀÇ È­ÇÕ¹°·Î, »êÈ­¹° active layer¸¦ °¡Áö´Â TFT ¿¡ ÁÖ·Î »ç¿ëµÇ´Â, Åõ¸í »êÈ­¹° ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ÀÏÁ¾ÀÌ´Ù. Åõ¸í »êÈ­¹° ¹ÝµµÃ¼´Â Ư¼º»ó Å« ¹êµå°¸À» Áö´Ï¸é¼­ ij¸®¾îÀ̵¿µµ°¡ ÁÁ±â ¶§¹®¿¡, °¡½Ã±¤¼± ¿µ¿ª¿¡¼­µµ Åõ¸íÇÑ Æ¯¼ºÀ» °¡Áö°í ÀÖ´Ù.

¡à IGZO ÀÇ Æ¯¼º
IGZO ´Â Zinc-Oxide È­ÇÕ¹°¿¡ Indium °ú GalliumÀ» doping ÇÑ ÇüÅÂÀÇ È­ÇÕ¹°·Î, hexagonal °áÁ¤±¸Á¶ÀÇ ÀÏÁ¾ÀÎ wurtzite °áÁ¤±¸Á¶¸¦ °¡Áö°í ÀÖ´Ù.

ZnO È­ÇÕ¹°Àº ÀÇ·á±â±â³ª È­ÇÐÁ¶¹Ì·á µî ¸¹Àº ºÐ¾ß¿¡¼­ Ȱ¿ëµÇÁö¸¸, ¹ÝµµÃ¼ºÐ¾ß¿¡¼­ ¿ª½Ã Áß¿äÇÑ ¿ªÇÒÀ» Çϰí ÀÖ´Ù. 3.37eV ÀÇ ¹êµå°¸À» °¡Áö°í ÀÖÀ¸¸ç, LED(Light Emitting Diode)¿¡¼­ °¡Àå ¸¹ÀÌ »ç¿ëÇϰí Àִµ¥, ºÒ¼ø¹° ÷°¡¿¡ µû¶ó TCO ·Î ¾²ÀÏ ¼ö ÀÖ°í ÇöÀç ¸¹Àº ÷°¡¹°À» ¿¬±¸Áß¿¡ ÀÖ´Ù. doping ¿¡´Â n-type doping °ú p-type doping ÀÌ Àִµ¥, n-type doping ¿¡´Â ¾Ë·ç¹Ì´½À̳ª Àεã, ±×¸®°í ´õ ¸¹Àº ¾Æ¿¬ µîÀÌ Ã·°¡µÉ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ÇöÀç thin film technology ¿¡ ÀÌ¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
TARGET 2010-03-09 ¿ÀÈÄ 6:36:19
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¿î¿µÀÚ 2010-03-10 ¿ÀÀü 9:47:50
'ÀüÀÚ°ø¾÷¿¡ »ç¿ëÇϱâ À§ÇÏ¿© µµÇÁó¸®µÈ È­ÇÐÈ­ÇÕ¹°'·Î¼­ °ü¼¼À²Ç¥ Á¦3818.00-2000È£¿¡ ºÐ·ùµÉ ¿©Áö´Â ÀÖÀ¸³ª, º¸Åë ³·Àº ºñÀ²·Î ÷°¡µÇ´Â °ü¼¼À²Ç¥ Á¦3818È£ÀÇ Ã·°¡Á¦¿¡ ºñÃß¾î »ó±â IGZO´Â ¿ø¼Ò°£ÀÇ ºñÀ²ÀÌ »ó´ëÀûÀ¸·Î ´ëµîÇϰí, °ü¼¼Ã»ÀÇ ITO¿¡ ´ëÇÑ Ç°¸ñºÐ·ù °áÁ¤»ç·Ê¸¦ ºñÃß¾î º¼¶§ HSK 3824.90-9090¿¡ ºÐ·ùµÉ °ÍÀ¸·Î ÆÇ´ÜµË´Ï´Ù. ¸àÆ®¼öÁ¤ ¸àÆ®»èÁ¦